على 14/11/2024 96

استكشاف الترانزستور BCP56: الميزات ، pinout ، ورقة البيانات

يعد Transistor BCP56 NPN ، الذي تم تطويره باستخدام تقنية محورية السيليكون ، مكونًا موثوقًا يتم اختياره بشكل متكرر لتطبيقات الصوت منخفض التردد وإدارة الطاقة.معروفًا بكفاءته واستقراره الحراري ، يقدم BCP56 بشكل فعال وضوح الصوت المحسن والتحكم الدقيق للطاقة.تستكشف هذه المقالة السمات التفصيلية ، وتكوين دبوس ، وأوراق البيانات الأساسية لـ BCP56 ، التي تركز معظمها على متغير أشباه الموصلات ، لتوفير فهم متعمق لقدراتها وتطبيقاتها العملية عبر دوائر إلكترونية مختلفة.سواء كنت تدمجها في أنظمة الصوت أو دوائر تنظيم الطاقة أو التصميمات المدمجة ، فإن تعدد الاستخدامات والمتانة في BCP56 تجعلها ميزة لا تقدر بثمن في الإلكترونيات الحديثة.

كتالوج

نظرة عامة على BCP56

ال BCP56 يدل على فئة من ترانزستورات مضخم الطاقة منخفضة التردد باستخدام تقنية NPN الفائقة السيليكون ، والتي تم تصميمها بشكل أساسي للدقة داخل تطبيقات الصوت.يقع في حزمة SOT - 223 ، وهو يدعم المثول على النحو الأمثل للتركيبات السطحية المتوسطة ، مما يوفر توافقًا محسّنًا إلى جانب الأداء الحراري المحسن في التكوينات المتنوعة.

قادرة على الحفاظ على جهد جامع للأعشاب (VCEO) يصل إلى 80 فولت.يقاوم الجهد التجميع (VCBO) من 100 فولت.يدعم الجهد الأساسي للأعلى (VBEO) من 5V.يتعامل مع الوصول الحالي إلى 1A.يتراوح مكسب DC (HFE) من 25 إلى 250 ، مما يدل على استعداده لتوفير تضخيم فعال مصمم لمتطلبات التشغيل المختلفة.بالإضافة إلى ذلك ، يضمن منتج عرض النطاق الترددي النموذجي الحالي (FT) الذي تم تعيينه عند 50 ميجاهرتز وظيفة يمكن الاعتماد عليها داخل دوائر التردد المعتدل.إن التصميم المعماري لـ BCP56 ، المحدد من خلال أشباه الموصلات من النوع N الذي يحيط بأشباه الموصلات من النوع N ، يسهل عمليات التضخيم والتبديل الصلبة.تخدم هذه العناصر أدوارًا رئيسية داخل الدوائر الإلكترونية المعقدة.

تكوين دبوس

نموذج CAD

رمز

بصمة

نموذج ثلاثي الأبعاد

سمات

ميزة	وصف
تيار مرتفع	1.0 أ
نوع الحزمة	SOT-223 ؛يمكن أن يكون لحام باستخدام الموجة أو التراجع.تشكلت يؤدي إلى امتصاص الإجهاد الحراري أثناء اللحام ، مما يلغي إمكانية أضرار للموت.
توافر الشريط والكرة	متوفر في شريط 12 مم وبكرة
	- استخدام BCP56T1G ل Cenly 7 بوصة/1000
	- استخدم BCP56T3G لمدة 13 بوصة/4000 بكرة وحدة
PNP تكملة	BCP53T1G
تطبيقات السيارات والتطبيقات الخاصة	بادئة S و NSV لتطبيقات السيارات التي تتطلب متطلبات تغيير الموقع والتحكم الفريدة ؛AEC-Q101 مؤهل و PPAP قادر
الامتثال البيئي	PB خالية

المواصفات الفنية

فيما يلي تنسيق الجدول لـ On Semiconductor BCP56T1G تحديد.

مواصفة	التفاصيل
يكتب	المعلمة
حالة دورة الحياة	نشط (آخر تحديث: قبل يومين)
مهلة المصنع	8 أسابيع
الاتصال الطلاء	القصدير
نوع التثبيت	جبل السطح
حزمة / حالة	TO-261-4 ، TO-261AA
جبل السطح	نعم
عدد المسامير	4
مادة عنصر الترانزستور	السيليكون
جامع الجهد الجهد	80V
عدد العناصر	1
Hfe Min	40
درجة حرارة التشغيل	-65 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية TJ
التغليف	شريط قطع (CT)
المنشورة	2005
رمز JESD-609	E3
رمز PBFree	نعم
حالة الجزء	نشيط
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)	1 (غير محدود)
عدد الإنهاء	4
رمز ECCN	ear99
الجهد - تصنيف العاصمة	80V
تبديد القوة القصوى	1.5W
الموقف الطرفي	مزدوج
شكل محطة	جناح نورس
التصنيف الحالي	1A
تكرار	130 ميجا هرتز
رقم الجزء الأساسي	BCP56
عدد الدبوس	4
تكوين العنصر	أعزب
تبديد السلطة	1.5W
اتصال الحالة	جامع
تطبيق الترانزستور	المضخم
كسب منتج النطاق الترددي	130 ميجا هرتز
قطبية/نوع القناة	NPN
نوع الترانزستور	NPN
الجهد المباشر جامع (VCEO)	80V
Max Collector Current	1A
ربح تيار العاصمة (HFE) (min) @ ic ، vce	40 @ 150MA 2V
Current - Collector Cutoff (Max)	100na icbo
تشبع VCE (MAX) @ IB ، IC	500mv @ 50ma ، 500ma
تردد الانتقال	130 ميجا هرتز
جهد انهيار ماكس	80V
الجهد قاعدة جامع (VCBO)	100 فولت
الجهد قاعدة باعث (Vobo)	5V
الحد الأقصى لدرجة حرارة الوصلات (TJ)	150 درجة مئوية
ارتفاع	1.75mm
طول	6.5mm
عرض	3.5mm
الوصول إلى SVHC	لا SVHC
تصلب الإشعاع	لا
حالة ROHS	ROHS3 متوافق
الرصاص الحر	الرصاص الحر

الرسم البياني الوظيفي

علامات تحديد الهوية لـ BCP56

بدائل

رقم الجزء	وصف	الشركة المصنعة
BCP56E6327	ترانزستور ثنائي القطب صغير ، 1A I (C) ، 80V V (BR) ، الرئيس التنفيذي 1-Element ، NPN ، Silicon	سيمنز
BCP56	ترانزستور ثنائي القطب صغير ، 1A I (C) ، 80V V (BR) ، الرئيس التنفيذي 1-Element ، NPN ، Silicon	سيمنز
BCP56،135	ترانزستور ترانزستور الإشارة الصغيرة ، الغرض العام BIP إشارة صغيرة	أشباه الموصلات NXP
BCP56E6433	ترانزستور ثنائي القطب صغير ، 1A I (C) ، 80V V (BR) ، الرئيس التنفيذي 1-Element ، NPN ، Silicon	سيمنز

التطبيقات

تنظيم الجهد

يحمل الترانزستور BCP56 موضعًا ملحوظًا في عالم منظمات الجهد الخطي ، ويدير بشكل مهرب الجهد الإخراج بدقة.يصبح هذا الدور ذا صلة بشكل خاص في المواقف حيث يجب حماية المكونات الإلكترونية الحساسة من خلال تنظيم الجهد الدقيق.يسلط دمج BCP56 في الدوائر الضوء على ناتجه السلس المنخفض الضوضاء ، والذي يتم تقديره لتوفير إمدادات طاقة مستقرة ، على الرغم من أن كفاءتها قد تتدفق قليلاً وراء التبديل.

التحكم في الحمل

في مجال المفاتيح المنخفضة ، يتفوق BCP56 في تحقيق تحكم فعال في التشغيل عبر مجموعة من الأحمال.تتجلى هذه المرونة بشكل بارز في التطبيقات التي تستدعي التبديل منخفض التكلفة وعالي التردد.إنه يبسط تكوينات الدوائر ، ويسهل الإدارة متعددة الاستخدامات للمكونات مثل المحركات والمصابيح ، والحفاظ على الانسجام بين بيانات اعتماد الأداء وفعالية التكلفة.

تطبيقات البطارية الواعية للطاقة

عندما يتعلق الأمر بالأجهزة التي تعمل بالبطارية ، تعرض BCP56 براعتها في إدارة الطاقة ، وهي مفيدة في تمديد عمر البطارية مع ضمان أداء ثابت.تستفيد الأدوات المحمولة وأجهزة الاستشعار عن بُعد بشكل كبير من استخدامها الفعال للطاقة ، مما يدل على الحاجة إلى إعطاء الأولوية للمكونات التي تحافظ على الوظائف في ظل ظروف متنوعة مع تحسين استخدام الطاقة.

تنظيم الطاقة الديناميكي

تؤكد BCP56 قيمتها في دوائر إدارة الطاقة المكلفة بتنظيم تدفق الطاقة المبرق ، وهو التخصص في توزيع الطاقة على أقسام الدوائر المختلفة.توضح الأمثلة العملية دور BCP56 في ضبط توزيع الطاقة ديناميكيًا وسط قضبان الطاقة المتعددة ، وتعزيز كفاءة النظام ، وتقليل هدر الطاقة.

تحويل الطاقة الفعال

بصفته سائق MOSFET ، تساعد BCP56 في التحكم في MOSFETs الأكثر جوهرية ، وهي تخصص لإدارة الأحمال الثقيلة في التطبيقات مثل المحولات وإمدادات الطاقة.وهو يدعم التبديل الفعال لـ MOSFETs مع قوة محرك بوابة كافية وأقل تأخير ، مما يثبت دورًا أساسيًا في سيناريوهات الطاقة عالية الكثافة.

تجارب صوتية محسنة

في تضخيم الصوت ، فإن قدرة BCP56 على التعامل مع الطاقة المتوسطة بكفاءة تجعلها خيارًا مفضلاً لقيادة مكبرات الصوت وقطاعات الإخراج الصوتي.إن تنفيذها مهيمن في تعزيز دقة الإشارة وتقليل التشويه ، مما يضمن تجربة سمعية متفوقة ، تستخدم في معدات الدرجة السمعية حيث تكون الدقة والوضوح هي المهيمنة.

القدرة على التكيف في التصميمات المدمجة

يمتد ملاءمة BCP56 إلى تطبيقات طاقة السطح المتوسطة ، حيث يكون الانضغاط أحد الأصول في تصميمات مساحة ضيقة.يصبح هذا الجانب مفيدًا في الغالب لمرونة التصميم والتكامل في الإلكترونيات الحديثة ، حيث تكون قدرتها على إدارة قوة كبيرة داخل البصمة الصغيرة خطيرة في تطوير الأجهزة من الجيل التالي ، بدءًا من الأجهزة القابلة للارتداء إلى معدات الاتصال المتطورة.

طَرد

الشركة المصنعة

على أشباه الموصلات ، يكون التداول تحت رمز ناسداك هو منتج BCP56.يمر التزامهم العميق بكفاءة الطاقة من خلال مجموعة واسعة من حلول إدارة الطاقة والإشارات.تعمل الشركة على منصة عالمية ، مع مرافق التصنيع والمبيعات والتصميم في وضع مدروس في أمريكا الشمالية وأوروبا ومنطقة آسيا والمحيط الهادئ.هذا التصميم الجغرافي لا يعزز سلسلة التوريد الموثوقة فحسب ، بل يسمح أيضًا بالتكيف مع متطلبات السوق المتنوعة مع Finesse.

يتجاوز التوزيع المحسوب للمرافق مجرد الخدمات اللوجستية ويعزز استجابة الطلب العالمي.من خلال الحفاظ على المواقع الاستراتيجية في المناطق الرئيسية ، يستفيد أشباه الموصلات من الخبرة المحلية والرؤى ، وتغذية الابتكار.يضمن هذا الوجود على نطاق واسع التكيف المصمم للمنتجات مع الاحتياجات المحلية ، وزيادة الوصول إلى السوق ورضا العملاء.

ورقة البيانات pdf

أوراق البيانات BCP56T1G:

BCP56 Series.pdf