على 30/10/2024 158

STP55NF06 Power MOSFET دليل: pinout ، المواصفات ، والبدائل

في هذه المقالة ، نتعرض للغوص في قدرات وتطبيقات STP55NF06 MOSFET ، وهي قوة قوية من القنوات N ذات القنوات التي تم تمييزها جيدًا من أجل كفاءتها وقدرتها على التكيف في الدوائر عالية الطلب.يعد هذا MOSFET معروفًا بسرعة التبديل المنخفضة في المقاومة وسرعان ما ، وهو أحد الأصول في الأنظمة الحساسة للطاقة مثل وحدات التحكم في المحركات وإمدادات الطاقة.مع القدرة على التعامل مع الجهد 60 فولت المصدر وتيارات مستمرة تصل إلى 55A ، يعد STP55NF06 مثاليًا للتطبيقات المكثفة للطاقة ، مما يوفر إدارة حرارية وموثوقية فعالة عبر مختلف ظروف التشغيل.من أنظمة السيارات إلى تطبيقات الطاقة المتجددة ، يتيح تصميم STP55NF06 MOSFET متعدد الاستخدامات الأداء المحسّن ، وكفاءة الطاقة ، وطول العمر المعزز للنظام.

كتالوج

فهم STP55NF06

ال STP55NF06 هو MOSFET قناة N قادر للغاية ، ويلاحظ لمعالجة التدفقات الحالية الكبيرة وتمكين إجراءات التبديل السريع.إنه يوضح كفاءة رائعة بسبب انخفاض المقاومة.يبدأ الجهاز التوصيل باستخدام جهد بوابة 10 فولت ويصل إلى أقصى قدر من الكفاءة عند 20 فولت ، ويضعه كمرشح قوي لتشغيل الأحمال عالية الطاقة.تضمن عتبة البوابة التي تبلغ 4V أنها تعمل بشكل جيد مع متحكمها ، ومع ذلك فهي تحقق أفضل ما لديها في 10 فولت ، ودعم التيار المستمر حتى 27A.للاندماج بسلاسة مع متحكمين ، يُنصح بمشاركة دائرة السائق أو MOSFET على مستوى المنطق ، مثل 2N7002.استجابة التردد التي يستحق الثناء للجهاز تجعله مناسبًا لمحولات DC-DC.

في التطبيقات التي تنطوي على MOSFETs مثل STP55NF06 ، يلزم تأريض البوابة بشكل صحيح لتجنب التشغيل غير المقصود.نظرًا لأن MOSFETs تنشط وإلغاء تنشيطه بناءً على الجهد ، فإن إتقان إدارة الجهد يصبح إصرارًا.يمكنك في كثير من الأحيان دمج تدابير وقائية إضافية مثل ثنائيات Zener لتثبيت جهد البوابة والدرع ضد الجهد.

يتطلب الاندماج بنجاح مع متحكمين النشر الاستراتيجي لدوائر السائق.تتناول هذه الدوائر الاختلافات بين جهد ناتج متحكم الدقيق ومتطلبات بوابة MOSFET.يستخدم النهج الشائع سائق تحويل المستوى لسد هذه الفجوة ، مما يضمن تفاعلًا سلسًا بين المكونات.

تكوين دبوس

نموذج CAD

رمز

بصمة

نموذج ثلاثي الأبعاد

سمات

ميزة	مواصفة
نوع mosfet	قناة ن
تيار الصرف المستمر (معرف)	35A
تيار الصرف النبضي (معرف الذروة)	50a
استنزاف لجهد انهيار المصدر (VDS)	60V
مقاومة مصدر الصرف (RDS)	0.018 Ω
جهد عتبة البوابة (VGS-TH)	20V (كحد أقصى)
وقت الصعود	50 ns
وقت الخريف	15 نانو ثانية
سعة الإدخال (CISS)	1300 PF
سعة الإخراج (COSS)	300 PF
نوع الحزمة	TO-220

التطبيقات

توجيه الطاقة الكهربائية (EPS)

أنظمة التوجيه الكهربائية في المركبات الحديثة تعزز الدقة والراحة في القيادة.يلعب STP55NF06 MOSFET دورًا رائعًا في تحسين استخدام الطاقة ووقت الاستجابة ، وبالتالي المساهمة في هذه التحسينات.غالبًا ما يبلغ السائقون انخفاضًا ملموسًا في استهلاك الوقود ، حيث أن أنظمة EPS ترسم الطاقة بشكل انتقائي ، مما يؤثر بشكل كبير على كفاءة السيارة.

نظام الكبح المضاد للانغلاق (ABS)

داخل ABS ، يوفر STP55NF06 تبديل سريع وفعال ، يستخدم للتحكم الأمثل في الفرامل.تعد قدراتها عالية الحرارة وقدرات التبديل السريعة مفيدة بشكل خاص في حالات الطوارئ.تُظهر الاختبارات باستمرار تحسين السلامة عن طريق منع قفل العجلات ، مما يؤكد فعاليتها.

أنظمة التحكم في ممسحة

في أنظمة التحكم في المساحات ، يعد STP55NF06 أساسيًا لعمليات دقيقة وموثوقة عبر مختلف الظروف الجوية.إن قدرتها على التعامل مع الأحمال المتغيرة مع الحد الأدنى من فقدان الطاقة تضمن تطهيرًا فعالًا من الزجاج الأمامي.يثبت الاختبار الواسع في المناخات المتنوعة فعاليته في تعزيز الرؤية وسلامة السائق.

أنظمة التحكم في المناخ

يدفع STP55NF06 المحركات والضواغط في أنظمة التحكم في المناخ بكفاءة استثنائية ، مما يتيح إدارة درجة الحرارة الدقيقة داخل المركبات.إن إمكانات توفير الطاقة في MOSFET تقلل من استهلاك الطاقة الإجمالي للسيارات.تعرض التطبيقات العملية دورها في الحفاظ على الراحة مع إطالة عمر البطارية.

آليات باب السلطة

تستفيد أنظمة أبواب الطاقة من الأداء الثابت لـ STP55NF06 للعمليات السلسة والموثوقة.تضمن متانة MOSFET عبر دورات متكررة طول العمر وتقليل الصيانة.تبرز التغذية المرتدة الميدانية عدد أقل من الإخفاقات ، مما يؤدي إلى مزيد من الرضا عن المستهلك والثقة في الأبواب الآلية.

دائرة الاختبار

STP55NF06 - فحص أوقات التبديل مع الحمل المقاوم

STP55NF06 - التحقيق في ديناميات شحنة بوابة

الاستفادة من STP55NF06 MOSFET

تعمل STP55NF06 MOSFET بكفاءة مع متطلبات الجهد المتواضع ، وبدء تشغيل حوالي 4V.تتماشى هذه الميزة بشكل جيد مع التطبيقات التي تتطلب فولتية أقل.عند ربطها بـ VCC ، تطالب البوابة بالتوصيل ؛تأريض أنه يوقف التيار.إذا انخفض جهد البوابة إلى أقل من 4V ، يتوقف التوصيل.يضمن المقاوم المنسول ، عادةً بالقرب من 10 آلاف ، أن البوابة تظل ترتكز على الموثوقية غير النشطة التي تعزز.

في التطبيقات العملية ، تبرز إدارة الجهد المستقر للبوابة على أنها مؤثرة للأداء.في السيناريوهات التي تتطلب الدقة ، يمكن أن يؤدي دمج آليات التغذية الراجعة إلى تحسين العمليات ، مما يسمح للأنظمة بالحفاظ على الوظائف المطلوبة وسط الظروف المتقلبة.

تنفيذ الدائرة

للحفاظ على مشاركة MOSFET ، تتصل البوابة بجهد العرض.إذا انزلق الجهد دون 4V ، فإن الجهاز يدخل المنطقة الأومية ، مما يوقف التوصيل.يستقر المقاوم المنسدلة ، مثل المقاوم 10K ، على الدائرة عن طريق الحفاظ على ترتكز البوابة عند عدم النشاط ، مما يقلل من مخاطر التنشيط غير المقصود من تغييرات الجهد المفاجئ.

المواصفات الفنية

يكتب	المعلمة
حالة دورة الحياة	نشط (آخر تحديث: منذ 8 أشهر)
مهلة المصنع	12 أسبوعا
جبل	من خلال ثقب
نوع التثبيت	من خلال ثقب
حزمة / حالة	TO-220-3
عدد المسامير	3
وزن	4.535924g
مادة عنصر الترانزستور	السيليكون
التيار - استمرار الصرف (معرف) @ 25 ℃	50A TC
جهد القيادة (Max RDS ON ، Min RDS ON)	10 فولت
عدد العناصر	1
تبديد السلطة (الحد الأقصى)	110W TC
قم بإيقاف تشغيل وقت التأخير	36 ns
درجة حرارة التشغيل	-55 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية TJ
التغليف	أنبوب
مسلسل	Stripfet ™ II
رمز JESD-609	E3
حالة الجزء	نشيط
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)	1 (غير محدود)
عدد الإنهاء	3
رمز ECCN	ear99
مقاومة	18mohm
الانتهاء من المحطة	قصدير غير لامع (SN)
الجهد - تصنيف العاصمة	60V
التصنيف الحالي	50a
رقم الجزء الأساسي	STP55N
عدد الدبوس	3
تكوين العنصر	أعزب
وضع التشغيل	وضع التحسين
تبديد السلطة	30W
قم بتشغيل وقت التأخير	20 ns
نوع FET	قناة ن
تطبيق الترانزستور	التبديل
RDS على (MAX) @ ID ، VGS	18m Ω @ 27.5a ، 10 فولت
VGS (TH) (MAX) @ ID	4V @ 250μA
سعة الإدخال (CISS) (MAX) @ VDS	1300pf @ 25v
شحن البوابة (QG) (الحد الأقصى) @ VGS	60nc @ 10v
وقت الصعود	50ns
VGS (الحد الأقصى)	± 20 فولت
وقت الخريف (طبعة)	15 نانو ثانية
تيار الصرف المستمر (معرف)	50a
جهد عتبة	3V
كود JEDEC-95	TO-220AB
بوابة لجهد المصدر (VGS)	20V
استنزاف التيار المعاكس (ABS) (معرف)	55A
استنزاف لجهد انهيار المصدر	60V
تيار الصرف النبضي (IDM)	200A
جهد العرض المزدوج	60V
VGS الاسمية	3 v
ارتفاع	9.15mm
طول	10.4mm
عرض	4.6mm
الوصول إلى SVHC	لا SVHC
تصلب الإشعاع	لا
حالة ROHS	ROHS3 متوافق
الرصاص الحر	الرصاص الحر

مكونات مماثلة

رقم الجزء	الشركة المصنعة	جبل	حزمة / حالة	تيار الصرف المستمر (بطاقة تعريف)	التيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية	جهد عتبة	بوابة لجهد المصدر (VGS)	تبديد السلطة	تبديد السلطة
STP55NF06	stmicroelectronics	من خلال ثقب	TO-220-3	50 أ	50a (TC)	3 v	20 v	30 واط	110W (TC)
STP65NF06	stmicroelectronics	من خلال ثقب	TO-220-3	60 أ	60A (TC)	1 ضد	15 فولت	110 واط	110W (TC)
STP60NF06L	stmicroelectronics	من خلال ثقب	TO-220-3	55 أ	55A (TC)	2 v	25 v	114 واط	114W (TC)
STP60NF06	stmicroelectronics	من خلال ثقب	TO-220-3	60 أ	60A (TC)	4 v	20 v	110 واط	110W (TC)
FDP55N06	على أشباه الموصلات	-	TO-220-3	-	60A (TC)	-	-	-	110W (TC)

طَرد

نظرة عامة على الشركة المصنعة

يؤدي stmicroelectronics في حلول أشباه الموصلات ، حيث تعرض المعرفة العميقة في السيليكون والأنظمة.هذه الخبرة تدفعهم إلى الأمام في تقدم تكنولوجيا النظام على الرقاقة (SOC) ، وتتوافق مع التطورات التقنية الحديثة.تحرف الكفاءة في السيليكون حلول عالية الأداء وفعالة في الطاقة المطلوبة لمختلف التطبيقات.من الإلكترونيات الاستهلاكية إلى الأجهزة الصناعية ، تدفع هذه الحلول التطور السريع للتكنولوجيات المتصلة ، وتلبية العطش للابتكارات الأكثر ذكاءً والمستدام.

تلعب stmicroelectronics دورًا ملحوظًا في تكنولوجيا SOC من خلال دمج الوظائف على شريحة واحدة ، وتحسين الأداء ، وخفض التكاليف.هذا يلبي الطلب على الإلكترونيات الفعالة والضغوط والمتعددة الاستخدامات.تعرض قطاعات السيارات وإنترنت الأشياء بشكل رئيسي تأثير الشركة على تحويل الصناعات.يزدهر قطاع أشباه الموصلات على الابتكار والتكيف بلا هوادة.تعزز شركات مثل stmicroelectronics إمكانية التشغيل المتداخل للأجهزة السلس من خلال التعاون والتكامل ، والتكيف مع التقدم مع ضمان الموثوقية والأداء.توفر استراتيجياتها التكيفية وأخلاقياتها التعاونية نموذجًا رائعًا لأفضل الممارسات في الصناعة.

ورقة البيانات pdf

STP55NF06 أوراق البيانات:

STX55NF06 (-1 ، FP) .pdf

STP65NF06 أوراق البيانات:

std65nf06 ، stp65nf06.pdf

STP60NF06L أوراق البيانات:

STX60NF06L (FP) .pdf

STP60NF06 أوراق البيانات:

STP60NF06.PDF

FDP55N06 أوراق البيانات:

TO220B03 PKG Drawing.pdf

FDP55N06 ، FDPF55N06.PDF