تعلن Silicon Motion عن إطلاق رقاقة التحكم الرئيسية UFS 4.0 ، المصنعة باستخدام 6nm EUV
تم الإعلان عن Silicon Motion في 12 مارس عن إطلاق UFS 4.0 Main Control Chip SM2756 ، والتي تستخدم تقنية عملية 6nm ويتم تصنيعها باستخدام آلة الطباعة الحجرية EUV.هذا المنتج مناسب للأجهزة المحمولة مثل الهواتف الذكية ويمكنه تلبية احتياجات النقل عالية السرعة للذكاء الاصطناعي (AI).
من المفهوم أن رقاقة التحكم الرئيسية SM2756 تعتمد بنية الطاقة المنخفضة MIPI M-PHY ، مع أداء قراءة متتابع يصل إلى 4300 ميجابايت/ثانية وسرعة كتابة متتالية تصل إلى 4000 ميجابايت/ثانية.وهو يدعم ذاكرة Flash 3D TLC و QLC NAND ، ويمكن أن يدعم سعة تصل إلى 2 تيرابايت.
أصدرت Silicon Motion أيضًا رقاقة التحكم الرئيسية في UFS 3.1 ، والتي تتبنى تصميم قناة واحدة ويدعم TLC و QLC NAND.يبلغ أداء القراءة المتسلسل 2150 ميغابايت/ثانية ، وأداء الكتابة المتسلسل هو 1900 ميجابايت/ثانية ، لتلبية احتياجات الهاتف الذكي وإنترنت الأشياء والسيارات.
وتفيد التقارير أنه في الوقت الحالي ، تستخدم الهواتف الذكية المتطورة في الغالب رقائق تخزين UFS 4.0 ، مع سرعات متتابعة تتجاوز عمومًا 3000 ميجابايت/ثانية وسرعات كتابة متسلسلة تتجاوز 2800 ميجابايت/ثانية.بالمقارنة مع UFS 3.1 ، يمكن لـ UFS 4.0 تحسين الكفاءة بنسبة 40 ٪ ولديه أمان أفضل للبيانات ، بمعدل قناة يصل إلى 23.2 جيجابت في الثانية ، وهو ضعف الجيل السابق.تم إنتاج رقاقة UFS 4.0 لأول مرة في الربع الثالث من عام 2022 ، ويبلغ انخفاض قدرة المنتج السائد الحالي إلى 1 تيرابايت.
أصدرت Silicon Motion أيضًا رقاقة التحكم الرئيسية في UFS 3.1 ، والتي تتبنى تصميم قناة واحدة ويدعم TLC و QLC NAND.يبلغ أداء القراءة المتسلسل 2150 ميغابايت/ثانية ، وأداء الكتابة المتسلسل هو 1900 ميجابايت/ثانية ، لتلبية احتياجات الهاتف الذكي وإنترنت الأشياء والسيارات.
وتفيد التقارير أنه في الوقت الحالي ، تستخدم الهواتف الذكية المتطورة في الغالب رقائق تخزين UFS 4.0 ، مع سرعات متتابعة تتجاوز عمومًا 3000 ميجابايت/ثانية وسرعات كتابة متسلسلة تتجاوز 2800 ميجابايت/ثانية.بالمقارنة مع UFS 3.1 ، يمكن لـ UFS 4.0 تحسين الكفاءة بنسبة 40 ٪ ولديه أمان أفضل للبيانات ، بمعدل قناة يصل إلى 23.2 جيجابت في الثانية ، وهو ضعف الجيل السابق.تم إنتاج رقاقة UFS 4.0 لأول مرة في الربع الثالث من عام 2022 ، ويبلغ انخفاض قدرة المنتج السائد الحالي إلى 1 تيرابايت.