مواصفات التكنولوجيا BSS123LT1G
المواصفات الفنية onsemi - BSS123LT1G والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - BSS123LT1G
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2.6V @ 1mA | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | SOT-23-3 (TO-236) | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 6Ohm @ 100mA, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 225mW (Ta) | |
| حزمة / كيس | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 20 pF @ 25 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 100 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 170mA (Ta) | |
| رقم المنتج الأساسي | BSS123 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi BSS123LT1G.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | BSS123LT1G | BSS123-7-F | BSS123L | BSS123L |
| الصانع | onsemi | Diodes Incorporated | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| فغس (ماكس) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| تجار الأجهزة حزمة | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 | SOT-23-3 | SOT-23-3 |
| سلسلة | - | - | - | - |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 170mA (Ta) | 170mA (Ta) | 170mA (Ta) | 170mA (Ta) |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| حزمة / كيس | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2.6V @ 1mA | 2V @ 1mA | 2V @ 1mA | 2V @ 1mA |
| رقم المنتج الأساسي | BSS123 | BSS123 | BSS123 | - |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 6Ohm @ 100mA, 10V | 6Ohm @ 170mA, 10V | 6Ohm @ 170mA, 10V | 6Ohm @ 170mA, 10V |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 20 pF @ 25 V | 60 pF @ 25 V | 21.5 pF @ 25 V | 21.5 pF @ 25 V |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 225mW (Ta) | 300mW (Ta) | 360mW (Ta) | 360mW (Ta) |
قم بتنزيل أوراق بيانات BSS123LT1G PDF ووثائق onsemi لـ BSS123LT1G - onsemi.
BSS123-7-FDiodes IncorporatedMOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3BSS123LonsemiMOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3BSS123LFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
BSS123 MOSAMI Semiconductor/onsemi
BSS123215Freescale / NXP Semiconductors
BSS123L6327InfineonBSS123NH6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSS123NH6433InfineonBSS123NCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSS123N H6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSS123N H6237Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSS123NH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3BSS123E6327Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
BSS123LT1G/BSS123ON/FSCBSS123N3CystechBSS123NH6433XTMA1InfineonBSS123LT1ONsemi
BSS123,215Nexperia| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.