مواصفات التكنولوجيا FES16JT
المواصفات الفنية onsemi - FES16JT والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - FES16JT
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.5 V @ 8 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 600 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-2 | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 50 ns |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | TO-220-2 | |
| طَرد | Tube | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 150°C | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 10 µA @ 600 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 16A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 145pF @ 4V, 1MHz | |
| رقم المنتج الأساسي | FES16 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi FES16JT.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | FES16JT | FES16FT-E3/45 | FES16GT | FES16JT |
| الصانع | onsemi | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| سلسلة | - | - | - | - |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.5 V @ 8 A | 1.3 V @ 16 A | 1.3 V @ 8 A | 1.5 V @ 8 A |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
| رقم المنتج الأساسي | FES16 | FES16 | FES16 | - |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 300 V | 10 µA @ 400 V | 10 µA @ 600 V |
| تكنولوجيا | Standard | Standard | Standard | Standard |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 50 ns | 50 ns | 50 ns | 50 ns |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 16A | 16A | 16A | 16A |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-2 | TO-220AC | TO-220-2 | TO-220-2 |
| حزمة / كيس | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-2 |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 600 V | 300 V | 400 V | 600 V |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 145pF @ 4V, 1MHz | - | 170pF @ 4V, 1MHz | 145pF @ 4V, 1MHz |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Tube |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
قم بتنزيل أوراق بيانات FES16JT PDF ووثائق onsemi لـ FES16JT - onsemi.
FES16FT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 300V 16A TO220ACFES16GTonsemiDIODE GEN PURP 400V 16A TO220-2FES1JB TRTBFAGORFES16JTFairchild SemiconductorRECTIFIER DIODE
FES1JDLITEONFES1M TRTBFAGORFES16GT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 16A TO220ACFES16JT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 16A TO220AC
FES16JT-E/45Electro-Films (EFI) / VishayFES16HTFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 500V 16A TO220-2FES16JTRonsemiDIODE GEN PURP 600V 16A TO220-2FES16FTonsemiDIODE GEN PURP 300V 16A TO220-2FES1DSRTG HE3FAGORFES1D TRTBFAGORFES1JALITEONFES16FTFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 300V 16A TO220-2FES16HTonsemiDIODE GEN PURP 500V 16A TO220-2FES16FT MOSGI| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.