مواصفات التكنولوجيا H11D2M
المواصفات الفنية onsemi - H11D2M والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - H11D2M
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| الجهد - الإخراج (ماكس) | 300V | |
| الجهد - العزلة | 7500Vpk | |
| فولتاج - فوروارد (ف) (تيب) | 1.15V | |
| اصلاحات تشبع (ماكس) | 400mV | |
| تشغيل / إيقاف الوقت (الكتابة) | 5µs, 5µs | |
| تجار الأجهزة حزمة | 6-DIP | |
| سلسلة | - | |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع) | - | |
| حزمة / كيس | 6-DIP (0.300", 7.62mm) | |
| طَرد | Bulk |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| نوع المخرجات | Transistor with Base | |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 100°C | |
| عدد القنوات | 1 | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| نوع المدخلات | DC | |
| نسبة نقل الحالية (مين) | 20% @ 10mA | |
| نسبة نقل الحالية (ماكس) | - | |
| الحالي - إخراج / قناة | 100mA | |
| الحالي - دس إلى الأمام (إذا) (ماكس) | 80 mA | |
| رقم المنتج الأساسي | H11D |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi H11D2M.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | H11D2M | H11D2SD | H11D3-X007 | H11D1SR2VM |
| الصانع | onsemi | onsemi | Vishay Semiconductor Opto Division | onsemi |
| حزمة / كيس | 6-DIP (0.300", 7.62mm) | 6-SMD, Gull Wing | 6-SMD, Gull Wing | 6-SMD, Gull Wing |
| نسبة نقل الحالية (ماكس) | - | - | - | - |
| سلسلة | - | - | - | - |
| الحالي - إخراج / قناة | 100mA | 100mA | 100mA | 100mA |
| الجهد - الإخراج (ماكس) | 300V | 300V | 200V | 300V |
| الحالي - دس إلى الأمام (إذا) (ماكس) | 80 mA | 80 mA | 60 mA | 80 mA |
| تجار الأجهزة حزمة | 6-DIP | 6-SMD | 6-SMD | 6-SMD |
| عدد القنوات | 1 | 1 | 1 | 1 |
| نوع المخرجات | Transistor with Base | Transistor with Base | Transistor with Base | Transistor with Base |
| نوع المدخلات | DC | DC | DC | DC |
| تصاعد نوع | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| اصلاحات تشبع (ماكس) | 400mV | 400mV | 400mV | 400mV |
| طَرد | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| رقم المنتج الأساسي | H11D | H11D | H11 | H11D1 |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 100°C | -55°C ~ 100°C | -55°C ~ 100°C | -40°C ~ 100°C |
| تشغيل / إيقاف الوقت (الكتابة) | 5µs, 5µs | 5µs, 5µs | 5µs, 6µs | 5µs, 5µs |
| الجهد - العزلة | 7500Vpk | 5300Vrms | 5300Vrms | 4170Vrms |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع) | - | - | 2.5µs, 5.5µs | - |
| نسبة نقل الحالية (مين) | 20% @ 10mA | 20% @ 10mA | 20% @ 10mA | 20% @ 10mA |
| فولتاج - فوروارد (ف) (تيب) | 1.15V | 1.15V | 1.1V | 1.15V |
قم بتنزيل أوراق بيانات H11D2M PDF ووثائق onsemi لـ H11D2M - onsemi.
H11D2SDonsemiOPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMDH11D3-X007Vishay Semiconductor Opto DivisionOPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMDH11D1SR2VMonsemiOPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMDH11D3SDFairchild SemiconductorTRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLERH11D3MonsemiOPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIPH11D1TMonsemiOPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIPH11D1VMonsemiOPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIPH11D1SMonsemiOPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMDH11D3SDonsemiOPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMDH11D3SR2MonsemiOPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD
H11D3WonsemiOPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIPH11D1SR2MonsemiOPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD
H11D3.SDAMI Semiconductor/onsemi
H11D1SDFairchild SemiconductorTRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLERH11D3SonsemiOPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SOIC
H11D1SLite-On Inc.OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMDH11D1SDonsemiOPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMDH11D1SonsemiOPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.