مواصفات التكنولوجيا NTD4806NAT4G
المواصفات الفنية onsemi - NTD4806NAT4G والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - NTD4806NAT4G
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2.5V @ 250µA | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | DPAK | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 6mOhm @ 30A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | - | |
| حزمة / كيس | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | - | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 2142 pF @ 12 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 23 nC @ 4.5 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 30 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 11.3A (Ta), 79A (Tc) | |
| رقم المنتج الأساسي | NTD48 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi NTD4806NAT4G.
| سمة المنتج |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | NTD4806NAT4G | NTD4805NT4G | NTD4808N-35G | NTD4806N-1G |
| الصانع | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| درجة حرارة التشغيل | - | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تبديد الطاقة (ماكس) | - | 1.41W (Ta), 79W (Tc) | 1.4W (Ta), 54.6W (Tc) | 1.4W (Ta), 68W (Tc) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 23 nC @ 4.5 V | 48 nC @ 11.5 V | 13 nC @ 4.5 V | 23 nC @ 4.5 V |
| سلسلة | - | - | - | - |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 6mOhm @ 30A, 10V | 5mOhm @ 30A, 10V | 8mOhm @ 30A, 10V | 6mOhm @ 30A, 10V |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 2142 pF @ 12 V | 2865 pF @ 12 V | 1538 pF @ 12 V | 2142 pF @ 12 V |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 11.3A (Ta), 79A (Tc) | 12.7A (Ta), 95A (Tc) | 10A (Ta), 63A (Tc) | 11.3A (Ta), 79A (Tc) |
| رقم المنتج الأساسي | NTD48 | NTD4805 | NTD48 | NTD48 |
| حزمة / كيس | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-251-3 Stub Leads, IPak | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| تجار الأجهزة حزمة | DPAK | DPAK | I-Pak | I-PAK |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
قم بتنزيل أوراق بيانات NTD4806NAT4G PDF ووثائق onsemi لـ NTD4806NAT4G - onsemi.
NTD4805NT4GonsemiMOSFET N-CH 30V 12.7A/95A DPAKNTD4808N-35GonsemiMOSFET N-CH 30V 10A/63A IPAKNTD4805NAMI Semiconductor/onsemiNTD4808NAMI Semiconductor/onsemiNTD4806NHGAMI Semiconductor/onsemiNTD4806N-1GonsemiMOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAKNTD4809NAMI Semiconductor/onsemiNTD4806NA-35GonsemiMOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAKNTD4805NGAMI Semiconductor/onsemiNTD4806N-35GonsemiMOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAKNTD4806NAMI Semiconductor/onsemiNTD4808N-1GonsemiMOSFET N-CH 30V 10A/63A IPAKNTD4806N-1HAMI Semiconductor/onsemiNTD4806NT4GonsemiMOSFET N-CH 30V 11.3A/79A DPAKNTD4808NT4GonsemiMOSFET N-CH 30V 10A/63A DPAKNTD4809AMI Semiconductor/onsemiNTD4805N-1GonsemiMOSFET N-CH 30V 12.7A/95A IPAKNTD4806NGAMI Semiconductor/onsemi| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.