مواصفات التكنولوجيا RGP10K
المواصفات الفنية onsemi - RGP10K والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - RGP10K
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.3 V @ 1 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 800 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-41 | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 500 ns |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | DO-204AL, DO-41, Axial | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 175°C | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 5 µA @ 800 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 1A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 15pF @ 4V, 1MHz | |
| رقم المنتج الأساسي | RGP10 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi RGP10K.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | RGP10K | RGP10G | RGP10M-E3/54 | RGP15D |
| الصانع | onsemi | Fairchild Semiconductor | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | NTE Electronics, Inc |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bag |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.3 V @ 1 A | 1.3 V @ 1 A | 1.3 V @ 1 A | 1.3 V @ 1.5 A |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 1A | 1A | 1A | 1.5A |
| حزمة / كيس | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-201AD, Axial |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 5 µA @ 800 V | 5 µA @ 400 V | 5 µA @ 1000 V | 5 µA @ 200 V |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| سلسلة | - | - | SUPERECTIFIER® | RGP15 |
| رقم المنتج الأساسي | RGP10 | - | RGP10 | - |
| تكنولوجيا | Standard | Standard | Standard | Standard |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 800 V | 400 V | 1000 V | 200 V |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 500 ns | 150 ns | 500 ns | 150 ns |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-41 | DO-41 | DO-204AL (DO-41) | DO-201AD |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 15pF @ 4V, 1MHz | 15pF @ 4V, 1MHz | 15pF @ 4V, 1MHz | 25pF @ 4V, 1MHz |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | - |
قم بتنزيل أوراق بيانات RGP10K PDF ووثائق onsemi لـ RGP10K - onsemi.
RGP10GFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 400V 1A DO41RGP10M-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 1A DO204ALRGP10DT AMPFAGORRGP15DNTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 200V 1.5A DO201ADRGP10MonsemiDIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
RGP10M-E3Electro-Films (EFI) / VishayRGP10GE-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 1A DO204ALRGP10D-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 1A DO204ALRGP10D-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 1A DO204ALRGP10JonsemiDIODE GEN PURP 600V 1A DO41RGP10KL-6322/22Electro-Films (EFI) / VishayRGP10M/4visRGP10D-E3/23Electro-Films (EFI) / VishayRGP10GonsemiDIODE GEN PURP 400V 1A DO41RGP10M-M3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 1A DO204ALRGP10JFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 1A DO204ALRGP10KFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 800V 1A DO41RGP10M-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.