مواصفات التكنولوجيا IRF7379
المواصفات الفنية Infineon Technologies - IRF7379 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies - IRF7379
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Infineon Technologies | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 1V @ 250µA | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SO | |
| سلسلة | HEXFET® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 45mOhm @ 5.8A, 10V | |
| السلطة - ماكس | 2.5W | |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 520pF @ 25V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 25nC @ 10V | |
| FET الميزة | - | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 30V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 5.8A, 4.3A | |
| ترتيب | N and P-Channel | |
| رقم المنتج الأساسي | IRF737 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies IRF7379.
| سمة المنتج |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IRF7379 | IRF7379QTRPBF | IRF7379TRPBF | IRF7379TR |
| الصانع | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SO | 8-SO | 8-SO | 8-SO |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 5.8A, 4.3A | 5.8A, 4.3A | 5.8A, 4.3A | 5.8A, 4.3A |
| FET الميزة | - | Logic Level Gate | - | - |
| رقم المنتج الأساسي | IRF737 | IRF737 | IRF737 | IRF737 |
| سلسلة | HEXFET® | - | HEXFET® | HEXFET® |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 520pF @ 25V | 520pF @ 25V | 520pF @ 25V | 520pF @ 25V |
| ترتيب | N and P-Channel | N and P-Channel | N and P-Channel | N and P-Channel |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 25nC @ 10V | 25nC @ 10V | 25nC @ 10V | 25nC @ 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 30V | 30V | 30V | 30V |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| السلطة - ماكس | 2.5W | 2.5W | 2.5W | 2.5W |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 45mOhm @ 5.8A, 10V | 45mOhm @ 5.8A, 10V | 45mOhm @ 5.8A, 10V | 45mOhm @ 5.8A, 10V |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| طَرد | Tube | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
قم بتنزيل أوراق بيانات IRF7379 PDF ووثائق Infineon Technologies لـ IRF7379 - Infineon Technologies.
IRF7353D2TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIRF7379QTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 30V 8-SOICIRF7379TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
IRF7379QIRIRF7353D2TRPBF MOSIRIRF7353D2QTRPBF.IRIRF7379TRInfineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 30V 8-SOICIRF7379PBFInfineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 30V 8-SOICIRF7353D2TR MOSIRIRF7353D2TRIRIRF7353TRPBF.IRIRF7353TRIRIRF7379 MOSIRIRF7379QTRPBF.IRIRF7379TR MOSIRIRF7353TRPBFIRIRF7379ITRPBFVBSEMIIRF7353D2TRPBF.IR| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.