مواصفات التكنولوجيا IRF7910PBF
المواصفات الفنية Infineon Technologies - IRF7910PBF والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies - IRF7910PBF
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Infineon Technologies | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2V @ 250µA | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SO | |
| سلسلة | HEXFET® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 15mOhm @ 8A, 4.5V | |
| السلطة - ماكس | 2W | |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1730pF @ 6V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 26nC @ 4.5V | |
| FET الميزة | Logic Level Gate | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 12V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 10A | |
| ترتيب | 2 N-Channel (Dual) | |
| رقم المنتج الأساسي | IRF7910 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies IRF7910PBF.
| سمة المنتج |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IRF7910PBF | IRF7907PBF | IRF7910TRPBF | IRF7907TRPBF |
| الصانع | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| سلسلة | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 15mOhm @ 8A, 4.5V | 16.4mOhm @ 9.1A, 10V | 15mOhm @ 8A, 4.5V | 16.4mOhm @ 9.1A, 10V |
| طَرد | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2V @ 250µA | 2.35V @ 25µA | 2V @ 250µA | 2.35V @ 25µA |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 10A | 9.1A, 11A | 10A | 9.1A, 11A |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1730pF @ 6V | 850pF @ 15V | 1730pF @ 6V | 850pF @ 15V |
| ترتيب | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SO | 8-SO | 8-SO | 8-SO |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 12V | 30V | 12V | 30V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 26nC @ 4.5V | 10nC @ 4.5V | 26nC @ 4.5V | 10nC @ 4.5V |
| السلطة - ماكس | 2W | 2W | 2W | 2W |
| رقم المنتج الأساسي | IRF7910 | IRF7907 | IRF7910 | IRF7907 |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
قم بتنزيل أوراق بيانات IRF7910PBF PDF ووثائق Infineon Technologies لـ IRF7910PBF - Infineon Technologies.
IRF7907TRPBF.IRIRF7910TRPBF.IRIRF7910IRIRF7NA2907SCVIRIRF7910TRPBF MOSIRIRF7907PBF MOSIRIRF7923IRIRF7907PBF-1IRIRF7907TRPBF MOSIRIRF7907PBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SOICIRF7907TRIRIRF7910PBF MOSIRIRF7N1405SCVIRIRF7910TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOICIRF7907 MOSIRIRF7907TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SOIRF7910TR MOSIR
IRF7946TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 90A DIRECTFET MX| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.