مواصفات التكنولوجيا IRFB4020PBF
المواصفات الفنية Infineon Technologies - IRFB4020PBF والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies - IRFB4020PBF
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Infineon Technologies | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4.9V @ 100µA | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220AB | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 100mOhm @ 11A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 100W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1200 pF @ 50 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 29 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 200 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 18A (Tc) | |
| رقم المنتج الأساسي | IRFB4020 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies IRFB4020PBF.
| سمة المنتج |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IRFB4020PBF | IRFB4115PBF | IRFB38N20DPBF | IRFB3806PBF |
| الصانع | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Tube |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| رقم المنتج الأساسي | IRFB4020 | IRFB4115 | IRFB38 | IRFB3806 |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 29 nC @ 10 V | 120 nC @ 10 V | 91 nC @ 10 V | 30 nC @ 10 V |
| فغس (ماكس) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 100W (Tc) | 380W (Tc) | 3.8W (Ta), 300W (Tc) | 71W (Tc) |
| سلسلة | - | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4.9V @ 100µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 50µA |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1200 pF @ 50 V | 5270 pF @ 50 V | 2900 pF @ 25 V | 1150 pF @ 50 V |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 18A (Tc) | 104A (Tc) | 43A (Tc) | 43A (Tc) |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 100mOhm @ 11A, 10V | 11mOhm @ 62A, 10V | 54mOhm @ 26A, 10V | 15.8mOhm @ 25A, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 200 V | 150 V | 200 V | 60 V |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
قم بتنزيل أوراق بيانات IRFB4020PBF PDF ووثائق Infineon Technologies لـ IRFB4020PBF - Infineon Technologies.
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 104A TO220AB
IRFB4019IRIRFB4110IRIRFB4115PBF MOSIRIRFB4110GIRIRFB4127IRIRFB4020IRIRFB38N20DPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 43A TO220ABIRFB38N20DIRIRFB3607SIR
IRFB4115Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRFB3806IRIRFB3806PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 43A TO220ABIRFB4110GPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 120A TO220ABIRFB4019PBF MOSIRIRFB4110PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 120A TO220ABIRFB4103PBFVBSEMIIRFB4019PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 17A TO220AB| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.