مواصفات التكنولوجيا IRS44273LTRPBF
المواصفات الفنية Infineon Technologies - IRS44273LTRPBF والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies - IRS44273LTRPBF
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Infineon Technologies | |
| الجهد - توريد | 10.2V ~ 20V | |
| تجار الأجهزة حزمة | SOT-23-5 | |
| سلسلة | µHVIC™ | |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع) | 25ns, 25ns | |
| حزمة / كيس | SC-74A, SOT-753 | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| تردد الإدخال | 1 |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| المنطق الجهد - فيل، فيه | 0.8V, 2.5V | |
| نوع المدخلات | Non-Inverting | |
| نوع البوابة | IGBT, N-Channel MOSFET | |
| تكوين مدفوعة | Low-Side | |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة) | 1.5A, 1.5A | |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس) | Single | |
| رقم المنتج الأساسي | IRS44273 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies IRS44273LTRPBF.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IRS44273LTRPBF | IRS4427PBF | IRS4426STRPBF | IRS44262SPBF |
| الصانع | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube |
| المنطق الجهد - فيل، فيه | 0.8V, 2.5V | 0.8V, 2.5V | 0.8V, 2.5V | 0.8V, 2.5V |
| تردد الإدخال | 1 | 2 | 2 | 2 |
| تجار الأجهزة حزمة | SOT-23-5 | 8-PDIP | 8-SOIC | 8-SOIC |
| رقم المنتج الأساسي | IRS44273 | IRS4427 | IRS4426 | IRS44262 |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس) | Single | Independent | Independent | Independent |
| الجهد - توريد | 10.2V ~ 20V | 6V ~ 20V | 6V ~ 20V | 11.2V ~ 20V |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| نوع المدخلات | Non-Inverting | Non-Inverting | Inverting | Inverting |
| حزمة / كيس | SC-74A, SOT-753 | 8-DIP (0.300', 7.62mm) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) |
| سلسلة | µHVIC™ | - | - | - |
| تكوين مدفوعة | Low-Side | Low-Side | Low-Side | Low-Side |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة) | 1.5A, 1.5A | 2.3A, 3.3A | 2.3A, 3.3A | 2.3A, 3.3A |
| نوع البوابة | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع) | 25ns, 25ns | 25ns, 25ns | 25ns, 25ns | 25ns, 25ns |
قم بتنزيل أوراق بيانات IRS44273LTRPBF PDF ووثائق Infineon Technologies لـ IRS44273LTRPBF - Infineon Technologies.
IRS44273LTRPBCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRS4427PBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
IRS4427SIRIRS4427S S4427Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRS4428PBFIRIRS4428SIRIRS4427STRIORIRS4426STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICIRS4427STRPBF.IRIRS44262SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICIRS44262STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICIRS4426IRIRS3307ZPBFIRIRS4427SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICIRS4427IRIRS4426PBFIRIRS4427STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICIRS4426SIR| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.