مواصفات التكنولوجيا 1N4006
المواصفات الفنية Diotec Semiconductor - 1N4006 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Diotec Semiconductor - 1N4006
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Diotec Semiconductor | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.1 V @ 1 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 800 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-41/DO-204AC | |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 1.5 µs |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | DO-204AC, DO-41, Axial | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -50°C ~ 175°C | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 5 µA @ 800 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 1A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Diotec Semiconductor 1N4006.
| سمة المنتج | |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | 1N4006 | 1N4006 | 1N4005G | 1N4006 |
| الصانع | Diotec Semiconductor | NTE Electronics, Inc | Good-Ark Semiconductor | onsemi |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A |
| حزمة / كيس | DO-204AC, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 1.5 µs | 2 µs | 1 µs | - |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-41/DO-204AC | DO-41 | DO-204AL (DO-41) | DO-41 |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -50°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 175°C |
| تكنولوجيا | Standard | Standard | Standard | Standard |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | - | 8pF @ 4V, 1MHz | 15pF @ 4V, 1MHz |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 5 µA @ 800 V | 5 µA @ 800 V | 5 µA @ 600 V | 10 µA @ 800 V |
| سلسلة | - | - | - | - |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Bag | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 800 V | 800 V | 600 V | 800 V |
قم بتنزيل أوراق بيانات 1N4006 PDF ووثائق Diotec Semiconductor لـ 1N4006 - Diotec Semiconductor.
1N4006-E3/51Electro-Films (EFI) / Vishay
1N4005GT-99Diodes Incorporated1N4006NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 800V 1A DO411N4005GGood-Ark SemiconductorRECTIFIER, GENERAL PURPOSE, GLAS1N4006onsemiDIODE GEN PURP 800V 1A DO411N4006FFGonsemiDIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL1N4005RLGonsemiDIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL1N4005A-01Diodes Incorporated
1N4006-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
1N4006Micro Commercial CoDIODE GEN PURP 800V 1A DO411N4006-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL1N4005GSMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 600V 1A DO411N4005GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL1N4005GPonsemiDIODE GEN PURP 600V 1A DO411N4006GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL1N4006SMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 800V 1A DO411N4005GonsemiDIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL1N4005-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 600V 1A DO41| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.