مواصفات التكنولوجيا EPC2016C
المواصفات الفنية EPC - EPC2016C والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ EPC - EPC2016C
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | EPC | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2.5V @ 3mA | |
| فغس (ماكس) | +6V, -4V | |
| تكنولوجيا | GaNFET (Gallium Nitride) | |
| تجار الأجهزة حزمة | Die | |
| سلسلة | eGaN® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 16mOhm @ 11A, 5V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | - | |
| حزمة / كيس | Die | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 420 pF @ 50 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 4.5 nC @ 5 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 5V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 100 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 18A (Ta) | |
| رقم المنتج الأساسي | EPC20 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ EPC EPC2016C.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | EPC2016C | EPC2015 | EPC2024 | EPC2014C |
| الصانع | EPC | EPC | EPC | EPC |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 100 V | 40 V | 40 V | 40 V |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 5V | 5V | 5V | 5V |
| فغس (ماكس) | +6V, -4V | +6V, -5V | +6V, -4V | +6V, -4V |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 16mOhm @ 11A, 5V | 4mOhm @ 33A, 5V | 1.5mOhm @ 37A, 5V | 16mOhm @ 10A, 5V |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2.5V @ 3mA | 2.5V @ 9mA | 2.5V @ 19mA | 2.5V @ 2mA |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| تجار الأجهزة حزمة | Die | Die | Die | Die |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 18A (Ta) | 33A (Ta) | 90A (Ta) | 10A (Ta) |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| تكنولوجيا | GaNFET (Gallium Nitride) | GaNFET (Gallium Nitride) | GaNFET (Gallium Nitride) | GaNFET (Gallium Nitride) |
| حزمة / كيس | Die | Die | Die | Die |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 4.5 nC @ 5 V | 11.6 nC @ 5 V | - | 2.5 nC @ 5 V |
| سلسلة | eGaN® | eGaN® | eGaN® | eGaN® |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 420 pF @ 50 V | 1200 pF @ 20 V | 2100 pF @ 20 V | 300 pF @ 20 V |
| رقم المنتج الأساسي | EPC20 | EPC20 | EPC20 | EPC20 |
| تبديد الطاقة (ماكس) | - | - | - | - |
قم بتنزيل أوراق بيانات EPC2016C PDF ووثائق EPC لـ EPC2016C - EPC.
EPC2015EPCGANFET N-CH 40V 33A DIE OUTLINE
EPC1PI8IntelIC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIPEPC2024EPCGANFET NCH 40V 60A DIEEPC2014CEPCGANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINEEPC2036EPCGANFET N-CH 100V 1.7A DIEEPC2010CEPCGANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINEEPC2019EPCGANFET N-CH 200V 8.5A DIEEPC2051EPCGANFET N-CH 100V 1.7A DIEEPC1PI8NIntelIC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIPEPC2001CEPCGANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINEEPC2111EPCGAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRIDEPC2015CEPCGANFET N-CH 40V 53A DIEEPC2106EPCGANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIEEPC2038EPCGANFET N-CH 100V 500MA DIEEPC2039EPCGANFET N-CH 80V 6.8A DIEEPC2202EPCGANFET N-CH 80V 18A DIEEPC1PTI8NN/AEPC2012CEPCGANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.