مواصفات التكنولوجيا EGP20J
المواصفات الفنية Fairchild Semiconductor - EGP20J والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor - EGP20J
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Fairchild (onsemi) | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.7 V @ 2 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 600 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-15 | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 75 ns |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | DO-204AC, DO-15, Axial | |
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 150°C | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 5 µA @ 600 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 2A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 45pF @ 4V, 1MHz |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor EGP20J.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | EGP20J | EGP20J | EGP20G-E3/73 | EGP20D |
| الصانع | Fairchild Semiconductor | onsemi | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | onsemi |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 75 ns | 75 ns | 50 ns | 50 ns |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 600 V | 600 V | 400 V | 200 V |
| تكنولوجيا | Standard | Standard | Standard | Standard |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-15 | DO-15 | DO-204AC (DO-15) | DO-15 |
| حزمة / كيس | DO-204AC, DO-15, Axial | DO-204AC, DO-15, Axial | DO-204AC, DO-15, Axial | DO-204AC, DO-15, Axial |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.7 V @ 2 A | 1.7 V @ 2 A | 1.25 V @ 2 A | 950 mV @ 2 A |
| سلسلة | - | - | SUPERECTIFIER® | - |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 2A | 2A | 2A | 2A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 45pF @ 4V, 1MHz | 45pF @ 4V, 1MHz | 45pF @ 4V, 1MHz | 70pF @ 4V, 1MHz |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 5 µA @ 600 V | 5 µA @ 600 V | 5 µA @ 400 V | 5 µA @ 200 V |
| طَرد | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Box (TB) | Tape & Reel (TR) |
EGP20JonsemiDIODE GEN PURP 600V 2A DO15EGP20G-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 2A DO204ACEGP20DonsemiDIODE GEN PURP 200V 2A DO15EGP30DL-6085GSEGP20D-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 2A DO204AC
EGP30ConsemiDIODE GEN PURP 150V 3A DO201AD
EGP26-13AFujitsu Electronics America, Inc.IGBT ModuleEGP30DonsemiDIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
EGP20DFairchild SemiconductorRECTIFIER DIODE, 2A, 200V, DO-15EGP20G-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 2A DO204ACEGP30GonsemiDIODE GEN PURP 400V 3A DO201ADEGP20GFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 400V 2A DO15
EGP20G-E3Electro-Films (EFI) / VishayEGP30CFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 150V 3A DO201ADEGP20GonsemiDIODE GEN PURP 400V 2A DO15EGP30GFairchild SemiconductorRECTIFIER DIODE, 3A, 400V, DO-20EGP30DL-6486GSEGP20D-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 2A DO204AC| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.