مواصفات التكنولوجيا IRFW530ATM
المواصفات الفنية Fairchild Semiconductor - IRFW530ATM والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor - IRFW530ATM
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | D2PAK | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 110mOhm @ 7A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 3.8W (Ta), 55W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| طَرد | Bulk |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 790 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 36 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 100 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 14A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor IRFW530ATM.
| سمة المنتج |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IRFW530ATM | IRFW540ATM | IRFW550ATM | IRFUC20PBF |
| الصانع | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Vishay Siliconix |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | - | 4V @ 250µA |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | - | N-Channel |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 100 V | 100 V | - | 600 V |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | - | Through Hole |
| فغس (ماكس) | ±20V | ±20V | - | ±20V |
| طَرد | Bulk | Bulk | Bulk | Tube |
| سلسلة | - | - | * | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 36 nC @ 10 V | 78 nC @ 10 V | - | 18 nC @ 10 V |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 14A (Tc) | 28A (Tc) | - | 2A (Tc) |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 790 pF @ 25 V | 1710 pF @ 25 V | - | 350 pF @ 25 V |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 110mOhm @ 7A, 10V | 52mOhm @ 14A, 10V | - | 4.4Ohm @ 1.2A, 10V |
| تجار الأجهزة حزمة | D2PAK | D2PAK (TO-263) | - | TO-251AA |
| حزمة / كيس | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | - | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 3.8W (Ta), 55W (Tc) | 3.8W (Ta), 107W (Tc) | - | 2.5W (Ta), 42W (Tc) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | - | 10V |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
IRFW540ATMFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
IRFUC20PBF FUC20Electro-Films (EFI) / VishayIRFW610ATMSECIRFW550ATMFairchild Semiconductor40A, 100V, 0.04OHM, N-CHANNEL MOIRFW530ATM-NLFairchild (onsemi)IRFW540ASEC
IRFW530ATM MOSSamsung SemiconductorIRFW550AFairchild (onsemi)IRFW540ATM MOSIRIRFUC20PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 2A TO251AAIRFUC020PBFIR
IRFW540ATMonsemiMOSFET N-CH 100V 28A D2PAKIRFW510ATMFairchild (onsemi)IRFW520ATMFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETIRFUC20PBF MOSIRIRFUC20Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 2A TO251AAIRFU9N20DPBFIRIRFUC20 MOSIR| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.