مواصفات التكنولوجيا NDS356P
المواصفات الفنية Fairchild Semiconductor - NDS356P والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor - NDS356P
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2.5V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±12V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | SOT-23-3 | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 210mOhm @ 1.3A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 500mW (Ta) | |
| حزمة / كيس | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| طَرد | Bulk |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 180 pF @ 10 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 5 nC @ 5 V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 4.5V, 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 20 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 1.1A (Ta) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor NDS356P.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | NDS356P | NDS356AP-NB8L005A | NDS356AP-NB8L005A | NDS356AP |
| الصانع | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| فغس (ماكس) | ±12V | ±20V | ±20V | ±20V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 5 nC @ 5 V | 4.4 nC @ 5 V | 4.4 nC @ 5 V | 4.4 nC @ 5 V |
| تجار الأجهزة حزمة | SOT-23-3 | SOT-23-3 | SOT-23-3 | SOT-23-3 |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 210mOhm @ 1.3A, 10V | 200mOhm @ 1.3A, 10V | 200mOhm @ 1.3A, 10V | 200mOhm @ 1.3A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 500mW (Ta) | 500mW (Ta) | 500mW (Ta) | 500mW (Ta) |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 1.1A (Ta) | 1.1A (Ta) | 1.1A (Ta) | 1.1A (Ta) |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| سلسلة | - | - | - | - |
| نوع FET | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| حزمة / كيس | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 20 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 180 pF @ 10 V | 280 pF @ 10 V | 280 pF @ 10 V | 280 pF @ 10 V |
| طَرد | Bulk | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
NDS356AP-NB8L005Aonsemi-30V P-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANNDS357NAMI Semiconductor/onsemiNDS356AP-NB8L005AFairchild Semiconductor-30V P-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANNDS356AFairchild (onsemi)NDS356APonsemiMOSFET P-CH 30V 1.1A SUPERSOT3NDS40-30FUJINDS355N MOSFairchild (onsemi)NDS356P MOSFairchild (onsemi)NDS358N-NLFairchild (onsemi)NDS357N-NLAMI Semiconductor/onsemiNDS358PFairchild (onsemi)NDS358NAMI Semiconductor/onsemiNDS356P-NLAMI Semiconductor/onsemi
NDS355N-NLGC ElectronicsNDS356AP MOSFairchild (onsemi)NDS356APFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSINDS356PonsemiMOSFET P-CH 20V 1.1A SUPERSOT3NDS356AP-NLAMI Semiconductor/onsemi| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.