مواصفات التكنولوجيا 1N3209R
المواصفات الفنية GeneSiC Semiconductor - 1N3209R والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ GeneSiC Semiconductor - 1N3209R
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | GeneSiC Semiconductor | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.5 V @ 15 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 100 V | |
| تكنولوجيا | Standard, Reverse Polarity | |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-5 | |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| حزمة / كيس | DO-203AB, DO-5, Stud |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 175°C | |
| تصاعد نوع | Chassis, Stud Mount | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 10 µA @ 50 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 15A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | |
| رقم المنتج الأساسي | 1N3209R |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ GeneSiC Semiconductor 1N3209R.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | 1N3209R | 1N3210 | 1N3211 | 1N3209R |
| الصانع | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | Microchip Technology | Solid State Inc. |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 15A | 15A | 40A | 40A |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-5 | DO-203AB (DO-5) | DO-203AB (DO-5) | DO-5 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| طَرد | Bulk | Bulk | Bulk | Box |
| تكنولوجيا | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard | Standard, Reverse Polarity |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 100 V | 200 V | 300 V | 100 V |
| تصاعد نوع | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.5 V @ 15 A | 1.5 V @ 15 A | 1.19 V @ 90 A | 1.19 V @ 90 A |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 10 µA @ 50 V | 10 µA @ 50 V | 10 µA @ 300 V | 10 µA @ 100 V |
| رقم المنتج الأساسي | 1N3209R | 1N3210 | 1N3211 | - |
| سلسلة | - | - | - | - |
| حزمة / كيس | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | - | - | - |
قم بتنزيل أوراق بيانات 1N3209R PDF ووثائق GeneSiC Semiconductor لـ 1N3209R - GeneSiC Semiconductor.
1N3210GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 15A DO203AB1N3211Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3209RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 100V 40A DO51N3208GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 50V 15A DO51N3210RGeneSiC SemiconductorDIODE GP REV 200V 15A DO203AB1N3209GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 100V 15A DO51N3208Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3209Solid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 40A DO51N3209RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3208RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 50V 40A DO51N3210Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3210RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3209Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3210Solid State Inc.DIODE GEN PURP 200V 40A DO51N3208RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3208RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 50V 15A DO51N3210RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 200V 40A DO51N3211Solid State Inc.DIODE GEN PURP 300V 40A DO5| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.