مواصفات التكنولوجيا MBR200150CT
المواصفات الفنية GeneSiC Semiconductor - MBR200150CT والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ GeneSiC Semiconductor - MBR200150CT
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | GeneSiC Semiconductor | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 880 mV @ 100 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 150 V | |
| تكنولوجيا | Schottky | |
| تجار الأجهزة حزمة | Twin Tower | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| حزمة / كيس | Twin Tower |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 150°C | |
| تصاعد نوع | Chassis Mount | |
| تكوين الصمام الثنائي | 1 Pair Common Cathode | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 3 mA @ 150 V | |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود) | 100A | |
| رقم المنتج الأساسي | MBR200150 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ GeneSiC Semiconductor MBR200150CT.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | MBR200150CT | MBR20030CT | MBR200100CT | MBR20020CT |
| الصانع | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor |
| تكوين الصمام الثنائي | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | - | - |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود) | 100A | 200A (DC) | 200A (DC) | 200A (DC) |
| طَرد | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| حزمة / كيس | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower |
| تجار الأجهزة حزمة | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 3 mA @ 150 V | 5 mA @ 20 V | 5 mA @ 20 V | 5 mA @ 20 V |
| رقم المنتج الأساسي | MBR200150 | MBR20030 | MBR200100 | MBR20020 |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| تصاعد نوع | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 150 V | 30 V | 100 V | 20 V |
| تكنولوجيا | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 880 mV @ 100 A | 650 mV @ 100 A | 840 mV @ 100 A | 650 mV @ 100 A |
| سلسلة | - | - | - | - |
قم بتنزيل أوراق بيانات MBR200150CT PDF ووثائق GeneSiC Semiconductor لـ MBR200150CT - GeneSiC Semiconductor.
MBR20030MOTOROLAIGBT ModuleMBR20030CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 30V 200A 2TOWER
MBR1H100SFONsemiMBR20020MOTOROLAIGBT Module
MBR180S1-7Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 80V 1A SOD123MBR200100CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 100V 200A 2TOWERMBR20030CTLMOTOROLAIGBT ModuleMBR1H100SFT1GMSVMBR200100MOTOROLAIGBT Module
MBR1H100SFT3GonsemiDIODE SCHOTTKY 100V 1A SOD123FLMBR200100RMOTOROLAIGBT ModuleMBR20020CTLMOTOROLAIGBT ModuleMBR20020CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 20V 200A 2TOWERMBR200100CTSGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 100V 200A SOT227MBR200200CTGeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWERMBR20015CTLMOTOROLAIGBT ModuleMBR20025CTLMOTOROLAIGBT ModuleMBR19TQ015S-G-T4SSG| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.