مواصفات التكنولوجيا HGT1S12N60B3S
المواصفات الفنية Harris Corporation - HGT1S12N60B3S والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Harris Corporation - HGT1S12N60B3S
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Harris Corporation | |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس) | 600 V | |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم | 2.1V @ 15V, 12A | |
| اختبار حالة | 480V, 12A, 25Ohm, 15V | |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C | 26ns/150ns | |
| تحويل الطاقة | 304µJ (on), 250µJ (off) | |
| تجار الأجهزة حزمة | D2PAK (TO-263) | |
| سلسلة | - | |
| السلطة - ماكس | 104 W |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| نوع المدخلات | Standard | |
| نوع IGBT | - | |
| بوابة المسؤول | 68 nC | |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم) | 110 A | |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس) | 27 A |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Harris Corporation HGT1S12N60B3S.
| سمة المنتج | |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | HGT1S12N60B3S | HGT1S12N60C3DS | HGT1S12N60A4DS | HGT1S10N120BNST |
| الصانع | Harris Corporation | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| نوع IGBT | - | - | - | NPT |
| بوابة المسؤول | 68 nC | 71 nC | 120 nC | 100 nC |
| اختبار حالة | 480V, 12A, 25Ohm, 15V | - | 390V, 12A, 10Ohm, 15V | 960V, 10A, 10Ohm, 15V |
| السلطة - ماكس | 104 W | 104 W | 167 W | 298 W |
| حزمة / كيس | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| سلسلة | - | - | - | - |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم | 2.1V @ 15V, 12A | 2.2V @ 15V, 15A | 2.7V @ 15V, 12A | 2.7V @ 15V, 10A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس) | 27 A | 24 A | 54 A | 35 A |
| نوع المدخلات | Standard | Standard | Standard | Standard |
| تجار الأجهزة حزمة | D2PAK (TO-263) | TO-263AB | TO-263AB | D²PAK (TO-263) |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| تحويل الطاقة | 304µJ (on), 250µJ (off) | - | 55µJ (on), 50µJ (off) | 320µJ (on), 800µJ (off) |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم) | 110 A | 96 A | 96 A | 80 A |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس) | 600 V | 600 V | 600 V | 1200 V |
| طَرد | Bulk | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C | 26ns/150ns | - | 17ns/96ns | 23ns/165ns |
HGT1S12N60A4S9AHGT1S12N60C3DSFairchild SemiconductorIGBT, 24A, 600V, N-CHANNELHGT1S12N60A4DSFairchild SemiconductorIGBT, 54A, 600V, N-CHANNEL, TO-2HGT1S10N120BNSTonsemiIGBT 1200V 35A 298W TO263ABHGT1S10N120BNST##QQQQQQQQHGT1S14N40F3VLSFSCHGT1S14N41G3VLSR4874Fairchild (onsemi)HGT1S14N36G3VLTFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTHGT1S12N60C3DS9AFairchild (onsemi)HGT1N30N60A4DFairchild SemiconductorIGBT, 96A, 600V, N-CHANNEL
HGT1N40N60A4DonsemiIGBT MOD 600V 110A 298W SOT227BHGT1S14N36G3VLFairchild (onsemi)HGT1S12N60A4DSonsemiIGBT 600V 54A 167W D2PAKHGT1S14N36G3VLTonsemiIGBT 390V 18A 100W TO262AAHGT1S14N40G3VLSFairchild (onsemi)HGT1S14N41G3VLS9AFairchild (onsemi)HGT1S10N120BNSFairchild SemiconductorIGBT, 35A, 1200V, N-CHANNEL, TO-HGT1S10N120BNSonsemiIGBT 1200V 35A 298W TO263AB| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.