مواصفات التكنولوجيا IXDD504PI
المواصفات الفنية IXYS - IXDD504PI والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ IXYS - IXDD504PI
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | IXYS Corporation | |
| الجهد - توريد | 4.5V ~ 30V | |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-DIP | |
| سلسلة | - | |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع) | 9ns, 8ns | |
| حزمة / كيس | 8-DIP (0.300", 7.62mm) | |
| طَرد | Tube | |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تردد الإدخال | 2 |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| المنطق الجهد - فيل، فيه | 0.8V, 3V | |
| نوع المدخلات | Non-Inverting | |
| نوع البوابة | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | |
| تكوين مدفوعة | Low-Side | |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة) | 4A, 4A | |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس) | Independent | |
| رقم المنتج الأساسي | IXDD504 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ IXYS IXDD504PI.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IXDD504PI | IXDD414CI | IXDD604SI | IXDD408PI |
| الصانع | IXYS | IXYS | IXYS Integrated Circuits Division | IXYS |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 125°C (TA) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| نوع البوابة | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع) | 9ns, 8ns | 25ns, 22ns | 9ns, 8ns | 14ns, 15ns |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Tube |
| الجهد - توريد | 4.5V ~ 30V | 4.5V ~ 35V | 4.5V ~ 35V | 4.5V ~ 25V |
| حزمة / كيس | 8-DIP (0.300", 7.62mm) | TO-220-5 | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) Exposed Pad | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| رقم المنتج الأساسي | IXDD504 | IXDD414 | IXDD604 | IXDD408 |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس) | Independent | Single | Independent | Single |
| تردد الإدخال | 2 | 1 | 2 | 1 |
| سلسلة | - | - | - | - |
| نوع المدخلات | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-DIP | TO-220-5 | 8-SOIC-EP | 8-DIP |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| تكوين مدفوعة | Low-Side | Low-Side | Low-Side | Low-Side |
| المنطق الجهد - فيل، فيه | 0.8V, 3V | 0.8V, 3.5V | 0.8V, 3V | 0.8V, 3.5V |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة) | 4A, 4A | 14A, 14A | 4A, 4A | 8A, 8A |
قم بتنزيل أوراق بيانات IXDD504PI PDF ووثائق IXYS لـ IXDD504PI - IXYS.
IXDD414CIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5IXDD604SIIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICIXDD408PIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
IXDD414SIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 14SOICIXDD604PIIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
IXDD604SIATRIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICIXDD609SIIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
IXDD404SI-16IXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 16SOICIXDD404PIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
IXDD414YIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE TO263
IXDD609CIIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5IXDD609PIIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIPIXDD604SIAIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICIXDD414PIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIPIXDD604D2IXYS / Littelfuse
IXDD604D2TRIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN
IXDD404SIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICIXDD408SIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.