مواصفات التكنولوجيا IXKH47N60C
المواصفات الفنية IXYS - IXKH47N60C والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ IXYS - IXKH47N60C
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | IXYS Corporation | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 2mA | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-247AD | |
| سلسلة | CoolMOS™ | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 70mOhm @ 30A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | - | |
| حزمة / كيس | TO-247-3 | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 650 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 600 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 47A (Tc) | |
| رقم المنتج الأساسي | IXKH47 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ IXYS IXKH47N60C.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IXKH47N60C | IXKG25N80C | IXKR25N80C | IXKR40N60C |
| الصانع | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| سلسلة | CoolMOS™ | CoolMOS™ | CoolMOS™ | CoolMOS™ |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 47A (Tc) | 25A (Tc) | 25A (Tc) | 38A (Tc) |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 70mOhm @ 30A, 10V | 150mOhm @ 9A, 10V | 150mOhm @ 18A, 10V | 70mOhm @ 25A, 10V |
| رقم المنتج الأساسي | IXKH47 | IXKG25 | IXKR25 | IXKR40 |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| فغس (ماكس) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Tube |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 2mA | 4V @ 2mA | 4V @ 2mA | 3.9V @ 3mA |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| حزمة / كيس | TO-247-3 | TO-264-3, TO-264AA | TO-247-3 | TO-247-3 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-247AD | ISO264™ | ISOPLUS247™ | ISOPLUS247™ |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 600 V | 800 V | 800 V | 600 V |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| تبديد الطاقة (ماكس) | - | 250W (Tc) | - | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 650 nC @ 10 V | 166 nC @ 10 V | 355 nC @ 10 V | 250 nC @ 10 V |
قم بتنزيل أوراق بيانات IXKH47N60C PDF ووثائق IXYS لـ IXKH47N60C - IXYS.
IXKG25N80CIXYSMOSFET N-CH 800V 25A ISO264IXKR25N80CIXYSMOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247IXKR40N60CIXYSMOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247IXKK85N60CIXYSMOSFET N-CH 600V 85A TO264A
DMP2069UFY4-7Diodes IncorporatedMOSFET P-CH 20V 2.5A DFN2015H4-3IXKH70N60C5IXYSMOSFET N-CH 600V 70A TO247ADIXKN45N80CIXYSMOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B
FDD86581-F085onsemiMOSFET N-CH 60V 25A DPAKIXKH24N60C5IXYSMOSFET N-CH 600V 24A TO247AD
BSZ0910LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSONIXKH20N60C5IXYSMOSFET N-CH 600V 20A TO247ADIXKN75N60CIXYSMOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B
IRF7521D1TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8
STP80NE06-10STMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 80A TO220AB
AUIRFS6535TRLInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 300V 19A D2PAKIXKH30N60C5IXYSMOSFET N-CH 600V 30A TO247ADIXKR47N60C5IXYSMOSFET N-CH 600V 47A ISOPLUS247
FDP045N10AonsemiMOSFET N-CH 100V 120A TO220-3| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.