مواصفات التكنولوجيا IXTP1R6N100D2
المواصفات الفنية IXYS - IXTP1R6N100D2 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ IXYS - IXTP1R6N100D2
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | IXYS Corporation | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | - | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | |
| سلسلة | Depletion | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 10Ohm @ 800mA, 0V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 100W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 645 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 27 nC @ 5 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | Depletion Mode | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 1000 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 1.6A (Tc) | |
| رقم المنتج الأساسي | IXTP1 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ IXYS IXTP1R6N100D2.
| سمة المنتج |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IXTP1R6N100D2 | IXTP18P10T | IXTP16N50P | IXTP1R6N50D2 |
| الصانع | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 1.6A (Tc) | 18A (Tc) | 16A (Tc) | 1.6A (Tc) |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 10Ohm @ 800mA, 0V | 120mOhm @ 9A, 10V | 400mOhm @ 8A, 10V | 2.3Ohm @ 800mA, 0V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 1000 V | 100 V | 500 V | 500 V |
| رقم المنتج الأساسي | IXTP1 | IXTP18 | IXTP16 | IXTP1 |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | - | 4.5V @ 250µA | 5.5V @ 250µA | - |
| فغس (ماكس) | ±20V | ±15V | ±30V | ±20V |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | - |
| FET الميزة | Depletion Mode | - | - | Depletion Mode |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 645 pF @ 25 V | 2100 pF @ 25 V | 2250 pF @ 25 V | 645 pF @ 25 V |
| سلسلة | Depletion | TrenchP™ | Polar | Depletion |
| نوع FET | N-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 27 nC @ 5 V | 39 nC @ 10 V | 43 nC @ 10 V | 23.7 nC @ 5 V |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 100W (Tc) | 83W (Tc) | 300W (Tc) | 100W (Tc) |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Tube |
قم بتنزيل أوراق بيانات IXTP1R6N100D2 PDF ووثائق IXYS لـ IXTP1R6N100D2 - IXYS.
IXTP18P10TIXYSMOSFET P-CH 100V 18A TO220ABIXTP16N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
IXTP220N04T2 MOSIXYS / LittelfuseIXTP1R6N50D2IXYSMOSFET N-CH 500V 1.6A TO220ABIXTP230N075T2IXYSMOSFET N-CH 75V 230A TO220ABIXTP160N10TIXYSMOSFET N-CH 100V 160A TO220ABIXTP220N055TIXYSMOSFET N-CH 55V 220A TO220ABIXTP160N075TIXYSMOSFET N-CH 75V 160A TO220ABIXTP240N055TIXYSMOSFET N-CH 55V 240A TO220ABIXTP170N075T2IXYSMOSFET N-CH 75V 170A TO220ABIXTP160N04T2IXYSMOSFET N-CH 40V 160A TO220ABIXTP220N04T2IXYSMOSFET N-CH 40V 220A TO220ABIXTP200N055TIXYS / LittelfuseIXTP182N055TIXYSMOSFET N-CH 55V 182A TO220ABIXTP200N055T2IXYSMOSFET N-CH 55V 200A TO220ABIXTP220N04TIXYS / LittelfuseIXTP152N085TIXYSMOSFET N-CH 85V 152A TO220ABIXTP180N085TIXYSMOSFET N-CH 85V 180A TO220AB| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.