مواصفات التكنولوجيا RF4E110BNTR
المواصفات الفنية Rohm Semiconductor - RF4E110BNTR والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Rohm Semiconductor - RF4E110BNTR
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | LAPIS Technology | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | HUML2020L8 | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 11.1mOhm @ 11A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 2W (Ta) | |
| حزمة / كيس | 8-PowerUDFN | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1200 pF @ 15 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 24 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 4.5V, 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 30 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 11A (Ta) | |
| رقم المنتج الأساسي | RF4E110 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Rohm Semiconductor RF4E110BNTR.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | RF4E110BNTR | RF4E080GNTR | RF4C050APTR | RF4C100BCTCR |
| الصانع | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | P-Channel | P-Channel |
| حزمة / كيس | 8-PowerUDFN | 8-PowerUDFN | 8-PowerUDFN | 8-PowerUDFN |
| سلسلة | - | - | - | - |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 2W (Ta) | 2W (Ta) | 2W (Ta) | 2W (Ta) |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 1.8V, 4.5V | 1.8V, 4.5V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 24 nC @ 10 V | 5.8 nC @ 10 V | 55 nC @ 4.5 V | 23.5 nC @ 4.5 V |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| فغس (ماكس) | ±20V | ±20V | -8V | ±8V |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 1V @ 1mA | 1.2V @ 1mA |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 11.1mOhm @ 11A, 10V | 17.6mOhm @ 8A, 10V | 26mOhm @ 5A, 4.5V | 15.6mOhm @ 10A, 4.5V |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1200 pF @ 15 V | 295 pF @ 15 V | 5500 pF @ 10 V | 1660 pF @ 10 V |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 11A (Ta) | 8A (Ta) | 10A (Ta) | 10A (Ta) |
| رقم المنتج الأساسي | RF4E110 | RF4E080 | RF4C050 | RF4C100 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 30 V | 30 V | 20 V | 20 V |
| تجار الأجهزة حزمة | HUML2020L8 | HUML2020L8 | HUML2020L8 | HUML2020L8 |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
قم بتنزيل أوراق بيانات RF4E110BNTR PDF ووثائق Rohm Semiconductor لـ RF4E110BNTR - Rohm Semiconductor.
RF4E080BNLAPIS TechnologyRF4342-000TERF4E080BNTBLAPIS TechnologyRF4E110GNLAPIS TechnologyRF4E080BN TBLAPIS TechnologyRF4E080GNTRRohm SemiconductorMOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8RF4C050APLAPIS TechnologyRF4C050AP/TRLAPIS TechnologyRF4C050APTRRohm SemiconductorMOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8RF4C100BCLAPIS TechnologyRF4E070BNLAPIS TechnologyRF4E110BNLAPIS TechnologyRF4C100BCTCRRohm SemiconductorMOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8RF4E080GNLAPIS TechnologyRF4E075ATTCRRohm SemiconductorMOSFET P-CH 30V 7.5A HUML2020L8RF4E080BNTRRohm SemiconductorMOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
RF4E20N50Fairchild (onsemi)RF4E075AT TCRLAPIS Technology| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.