مواصفات التكنولوجيا RW1A020ZPT2R
المواصفات الفنية Rohm Semiconductor - RW1A020ZPT2R والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Rohm Semiconductor - RW1A020ZPT2R
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | LAPIS Technology | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 1V @ 1mA | |
| فغس (ماكس) | ±10V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | 6-WEMT | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 105mOhm @ 2A, 4.5V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 400mW (Ta) | |
| حزمة / كيس | 6-SMD, Flat Leads | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 770 pF @ 6 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 6.5 nC @ 4.5 V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 1.5V, 4.5V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 12 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 2A (Ta) | |
| رقم المنتج الأساسي | RW1A020 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Rohm Semiconductor RW1A020ZPT2R.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | RW1A020ZPT2R | RW1A013ZPT2R | RW1A025APT2CR | RW1A030APT2CR |
| الصانع | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 400mW (Ta) | 400mW (Ta) | 400mW (Ta) | 700mW (Ta) |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 12 V | 12 V | 12 V | 12 V |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 105mOhm @ 2A, 4.5V | 260mOhm @ 1.3A, 4.5V | 62mOhm @ 2.5A, 4.5V | 42mOhm @ 3A, 4.5V |
| رقم المنتج الأساسي | RW1A020 | RW1A013 | RW1A025 | RW1A030 |
| درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| سلسلة | - | - | - | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 1.5V, 4.5V | 1.5V, 4.5V | 1.5V, 4.5V | 1.5V, 4.5V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 6.5 nC @ 4.5 V | 2.4 nC @ 4.5 V | 16 nC @ 4.5 V | 22 nC @ 4.5 V |
| نوع FET | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| فغس (ماكس) | ±10V | ±10V | -8V | -8V |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس | 6-SMD, Flat Leads | 6-SMD, Flat Leads | 6-SMD, Flat Leads | 6-SMD, Flat Leads |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 2A (Ta) | 1.5A (Ta) | 2.5A (Ta) | 3A (Ta) |
| تجار الأجهزة حزمة | 6-WEMT | 6-WEMT | 6-WEMT | 6-WEMT |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 1V @ 1mA | 1V @ 1mA | 1V @ 1mA | 1V @ 1mA |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 770 pF @ 6 V | 290 pF @ 6 V | 2000 pF @ 6 V | 2700 pF @ 6 V |
قم بتنزيل أوراق بيانات RW1A020ZPT2R PDF ووثائق Rohm Semiconductor لـ RW1A020ZPT2R - Rohm Semiconductor.
RW1A020ZP T2RLAPIS TechnologyRW1A030AP T2CRLAPIS TechnologyRW1A025APT2CR MOSLAPIS TechnologyRW1A025ZP T2RLAPIS TechnologyRW1A025ZPT2RLAPIS TechnologyRW1A013ZPLAPIS TechnologyRW1A013ZPT2RRohm SemiconductorMOSFET P-CH 12V 1.5A 6WEMTRW1A013ZPT2CRLAPIS TechnologyRW1C015UN T2RLAPIS TechnologyRW1A025APT2CRRohm SemiconductorMOSFET P-CH 12V 2.5A WEMT6RW1A025APLAPIS TechnologyRW1A030APT2CRRohm SemiconductorMOSFET P-CH 12V 3A 6WEMTRW1A020ZPFU7T2RLAPIS TechnologyRW1A025ZPLAPIS TechnologyRW1C015UNVBSEMIRW1A013ZP T2RLAPIS TechnologyRW1A020ZPLAPIS TechnologyRW1A025AP T2CRLAPIS Technology| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.