مواصفات التكنولوجيا SCS212AGHRC
المواصفات الفنية Rohm Semiconductor - SCS212AGHRC والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Rohm Semiconductor - SCS212AGHRC
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | LAPIS Technology | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.55 V @ 12 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 650 V | |
| تكنولوجيا | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220AC | |
| سرعة | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| سلسلة | Automotive, AEC-Q101 | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 0 ns |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | TO-220-2 | |
| طَرد | Tube | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | 175°C (Max) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 240 µA @ 600 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 12A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 438pF @ 1V, 1MHz | |
| رقم المنتج الأساسي | SCS212 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Rohm Semiconductor SCS212AGHRC.
| سمة المنتج |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | SCS212AGHRC | SCS210KGC | SCS212AMC | SCS212AJHRTLL |
| الصانع | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 12A | 10A | 12A | 12A |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 0 ns | 0 ns | 0 ns | 0 ns |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220AC | TO-220AC | TO-220FM | TO-263AB |
| حزمة / كيس | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-2 Full Pack | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| رقم المنتج الأساسي | SCS212 | SCS210 | SCS212 | SCS212 |
| سلسلة | Automotive, AEC-Q101 | - | - | Automotive, AEC-Q101 |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) |
| تكنولوجيا | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 438pF @ 1V, 1MHz | 550pF @ 1V, 1MHz | 438pF @ 1V, 1MHz | 438pF @ 1V, 1MHz |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 650 V | 1200 V | 650 V | 650 V |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.55 V @ 12 A | 1.6 V @ 10 A | 1.55 V @ 12 A | 1.55 V @ 12 A |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 240 µA @ 600 V | 200 µA @ 1200 V | 240 µA @ 600 V | 240 µA @ 600 V |
| سرعة | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
قم بتنزيل أوراق بيانات SCS212AGHRC PDF ووثائق Rohm Semiconductor لـ SCS212AGHRC - Rohm Semiconductor.
SCS210KGCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220ACSCS212AMCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 12A TO220FMSCS210KE2LAPIS TechnologySCS212AJHRTLLRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 12A TO263ABSCS210AMCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 10A TO220FMSCS210KGC17Rohm SemiconductorDIODE SIC 1.2KV 10A TO220ACFPSCS212AWLAPIS TechnologySCS215AJLAPIS TechnologySCS210KE2CRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247SCS215AECRohm SemiconductorDIODE SIL CARBIDE 650V 15A TO247SCS215AGHRCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 15A TO220ACSCS212AGCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 12A TO220ACSCS212AMLAPIS TechnologySCS210KGLAPIS TechnologySCS212AJTLLRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 12A TO263ABSCS212AGLAPIS TechnologySCS215AGCRohm SemiconductorDIODE SIC 650V 15A TO220ACFPSCS210KE2HRLAPIS Technology| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.