مواصفات التكنولوجيا SP8M3FU7TB1
المواصفات الفنية Rohm Semiconductor - SP8M3FU7TB1 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Rohm Semiconductor - SP8M3FU7TB1
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | LAPIS Technology | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2.5V @ 1mA | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SOP | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 51mOhm @ 5A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V | |
| السلطة - ماكس | 2W (Ta) | |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | 150°C | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 230pF @ 10V, 850pF @ 10V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 3.9nC @ 5V, 8.5nC @ 5V | |
| FET الميزة | - | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 30V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 5A (Ta), 4.5A (Ta) | |
| ترتيب | N and P-Channel | |
| رقم المنتج الأساسي | SP8M3 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Rohm Semiconductor SP8M3FU7TB1.
| سمة المنتج |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | SP8M3FU7TB1 | SP8M3FU6TB | SP8M3TB | SP8M4FU6TB |
| الصانع | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 230pF @ 10V, 850pF @ 10V | 230pF @ 10V | 230pF @ 10V | 1190pF @ 10V |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA |
| FET الميزة | - | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| ترتيب | N and P-Channel | N and P-Channel | N and P-Channel | N and P-Channel |
| درجة حرارة التشغيل | 150°C | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| رقم المنتج الأساسي | SP8M3 | SP8M3 | SP8M3 | SP8M4 |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| السلطة - ماكس | 2W (Ta) | 2W | 2W | 2W |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 51mOhm @ 5A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V | 51mOhm @ 5A, 10V | 51mOhm @ 5A, 10V | 18mOhm @ 9A, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 30V | 30V | 30V | 30V |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 5A (Ta), 4.5A (Ta) | 5A, 4.5A | 5A, 4.5A | 9A, 7A |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 3.9nC @ 5V, 8.5nC @ 5V | 5.5nC @ 5V | 3.9nC @ 5V | 21nC @ 5V |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| سلسلة | - | - | - | - |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SOP | 8-SOP | 8-SOP | 8-SOP |
قم بتنزيل أوراق بيانات SP8M3FU7TB1 PDF ووثائق Rohm Semiconductor لـ SP8M3FU7TB1 - Rohm Semiconductor.
SP8M3-TBLAPIS TechnologySP8M3FU6TBRohm SemiconductorMOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOICSP8M3 TBLAPIS TechnologySP8M3TBRohm SemiconductorMOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOICSP8M3FD5TBLAPIS TechnologySP8M4FU6TBRohm SemiconductorMOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOICSP8M3FD5TB1Rohm SemiconductorMOSFET N/P-CH 30V 8SOPSP8M4FRATBRohm Semiconductor4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (CORRESPSP8M41-TBLAPIS TechnologySP8M43LAPIS TechnologySP8M3 FD5TBLAPIS TechnologySP8M41 TBLAPIS TechnologySP8M41LAPIS TechnologySP8M3FTBLAPIS TechnologySP8M4-F-TBLAPIS TechnologySP8M3FU6TB1Rohm SemiconductorMOSFET N/P-CH 30V 8SOPSP8M3FT1TBLAPIS Technology
SP8M4-TBVBsemi| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.