مواصفات التكنولوجيا SP8M70TB1
المواصفات الفنية Rohm Semiconductor - SP8M70TB1 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Rohm Semiconductor - SP8M70TB1
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | LAPIS Technology | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 1mA | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SOP | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 1.63Ohm @ 1.5A, 10V | |
| السلطة - ماكس | 650mW | |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 180pF @ 25V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 5.2nC @ 10V | |
| FET الميزة | - | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 250V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 3A, 2.5A | |
| ترتيب | N and P-Channel | |
| رقم المنتج الأساسي | SP8M7 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Rohm Semiconductor SP8M70TB1.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | SP8M70TB1 | SP8M8FD5TB1 | SP8M6TB | SP8M7TB |
| الصانع | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) | 150°C | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| سلسلة | - | - | - | - |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ترتيب | N and P-Channel | N and P-Channel | N and P-Channel | N and P-Channel |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SOP | 8-SOP | 8-SOP | 8-SOP |
| FET الميزة | - | Logic Level Gate, 4V Drive | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| السلطة - ماكس | 650mW | 2W (Ta) | 2W | 2W |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 180pF @ 25V | 520pF @ 10V, 850pF @ 10V | 230pF @ 10V | 230pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 5.2nC @ 10V | 7.2nC @ 5V, 8.5nC @ 5V | 3.9nC @ 5V | 5.5nC @ 5V |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 1.63Ohm @ 1.5A, 10V | 30mOhm @ 6A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V | 51mOhm @ 5A, 10V | 51mOhm @ 5A, 10V |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 3A, 2.5A | 6A (Ta), 4.5A (Ta) | 5A, 3.5A | 5A, 7A |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 250V | 30V | 30V | 30V |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 1mA | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA |
| رقم المنتج الأساسي | SP8M7 | SP8M8 | SP8M6 | SP8M7 |
قم بتنزيل أوراق بيانات SP8M70TB1 PDF ووثائق Rohm Semiconductor لـ SP8M70TB1 - Rohm Semiconductor.
SP8M8FD5TB1Rohm SemiconductorMOSFET N/P-CH 30V 8SOP
SP8M51LAPIS Technology
SP8M63-TBVBSEMISP8M8FD5TBLAPIS TechnologySP8M8-TBSP8M6TBRohm SemiconductorMOSFET N/P-CH 30V 5A/3.5A 8SOICSP8M6-TBVBSEMISP8M7-TBVBSEMISP8M51-TBVBSEMISP8M8 F TBLAPIS TechnologySP8M8F5DTB1LAPIS TechnologySP8M7TBRohm SemiconductorMOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 8SOICSP8M6 TBLAPIS TechnologySP8M70TB1 MOSLAPIS TechnologySP8M8-TB.LAPIS TechnologySP8M51TB1Rohm SemiconductorMOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A SOP8SP8M51FRATBRohm Semiconductor4V DRIVE NCH+PCH MOSFETSP8M8 FD5TBLAPIS Technology| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.