مواصفات التكنولوجيا 1N3208
المواصفات الفنية Microchip Technology - 1N3208 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology - 1N3208
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Microchip Technology | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.19 V @ 90 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 50 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-203AB (DO-5) | |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| حزمة / كيس | DO-203AB, DO-5, Stud |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 200°C | |
| تصاعد نوع | Stud Mount | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 10 µA @ 50 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 40A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | |
| رقم المنتج الأساسي | 1N3208 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology 1N3208.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | 1N3208 | 1N3208 | 1N3177 | 1N3176R |
| الصانع | Microchip Technology | GeneSiC Semiconductor | Solid State Inc. | Solid State Inc. |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.19 V @ 90 A | 1.5 V @ 15 A | 1.25 V @ 240 A | 1.25 V @ 240 A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | - | - | - |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 40A | 15A | 240A | 240A |
| رقم المنتج الأساسي | 1N3208 | 1N3208 | - | - |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-203AB (DO-5) | DO-5 | DO-9 | DO-9 |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 50 V | 50 V | 400 V | 350 V |
| سلسلة | - | - | - | - |
| تكنولوجيا | Standard | Standard | Standard | Standard, Reverse Polarity |
| طَرد | Bulk | Bulk | Box | Box |
| تصاعد نوع | Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 10 µA @ 50 V | 10 µA @ 50 V | 75 µA @ 1600 V | 75 µA @ 1400 V |
| حزمة / كيس | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-205AB, DO-9, Stud | DO-205AB, DO-9, Stud |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
قم بتنزيل أوراق بيانات 1N3208 PDF ووثائق Microchip Technology لـ 1N3208 - Microchip Technology.
1N3208GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 50V 15A DO51N3177Solid State Inc.DIODE GEN PURP 400V 240A DO91N3176RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 350V 240A DO9
1N3175Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER
1N3209Solid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 40A DO51N3208RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3209Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3209RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3175Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1.2KV 240A DO91N3209RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 100V 15A DO51N3208RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 50V 15A DO51N3209GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 100V 15A DO51N3176Solid State Inc.DIODE GEN PURP 350V 240A DO91N3208Solid State Inc.DIODE GEN PURP 50V 40A DO51N3177Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER
1N3176AMicrosemiIGBT Module1N3208RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 50V 40A DO51N3176Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.