مواصفات التكنولوجيا 1N3766
المواصفات الفنية Microchip Technology - 1N3766 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology - 1N3766
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Microchip Technology | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.4 V @ 110 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 800 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-203AB (DO-5) | |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| حزمة / كيس | DO-203AB, DO-5, Stud |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 175°C | |
| تصاعد نوع | Stud Mount | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 10 µA @ 800 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 35A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | |
| رقم المنتج الأساسي | 1N3766 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology 1N3766.
| سمة المنتج |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | 1N3766 | 1N3766 | 1N3765 | 1N3765 |
| الصانع | Microchip Technology | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | Solid State Inc. |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-203AB (DO-5) | DO-5 | DO-5 | DO-5 |
| سلسلة | - | - | - | - |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | - | - | - |
| تكنولوجيا | Standard | Standard | Standard | Standard |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 35A | 35A | 35A | 40A |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 190°C | -65°C ~ 190°C | -65°C ~ 200°C |
| طَرد | Bulk | Bulk | Bulk | Box |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 800 V | 800 V | 700 V | 700 V |
| حزمة / كيس | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 10 µA @ 800 V | 10 µA @ 50 V | 10 µA @ 50 V | 10 µA @ 700 V |
| رقم المنتج الأساسي | 1N3766 | 1N3766 | 1N3765 | - |
| تصاعد نوع | Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Stud Mount |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.4 V @ 110 A | 1.2 V @ 35 A | 1.2 V @ 35 A | 1.19 V @ 90 A |
قم بتنزيل أوراق بيانات 1N3766 PDF ووثائق Microchip Technology لـ 1N3766 - Microchip Technology.
1N3766GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 800V 35A DO51N3765GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 700V 35A DO51N3765Solid State Inc.DIODE GEN PURP 700V 40A DO51N3766AMSCIGBT Module1N3765RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 700V 40A DO51N3766Solid State Inc.DIODE GEN PURP 800V 40A DO51N3766RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 800V 35A DO51N3767Solid State Inc.DIODE GEN PURP 900V 40A DO51N3765RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 700V 35A DO5
1N3765Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 700V 35A DO51N3767GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 900V 35A DO51N3744RMicrochip TechnologyDIODE GP REV 1.4KV 275A DO205AB1N3767Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER
1N3744RSolid State Inc.DIODE GP REV 1.4KV 275A DO91N3766RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 800V 40A DO51N3766RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3765AMSCIGBT Module1N3765RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 700V 35A DO5| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.