مواصفات التكنولوجيا APT2X60S20J
المواصفات الفنية Microchip Technology - APT2X60S20J والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology - APT2X60S20J
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Microchip Technology | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 900 mV @ 60 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 200 V | |
| تكنولوجيا | Schottky | |
| تجار الأجهزة حزمة | SOT-227 (ISOTOP®) | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| حزمة / كيس | SOT-227-4, miniBLOC |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| طَرد | Tube | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 150°C | |
| تصاعد نوع | Chassis Mount | |
| تكوين الصمام الثنائي | 2 Independent | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 1 mA @ 200 V | |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود) | 75A | |
| رقم المنتج الأساسي | APT2X60 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology APT2X60S20J.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | APT2X60S20J | APT2X61D100J | APT2X60D30J | APT2X60DC120J |
| الصانع | Microchip Technology | Microchip Technology | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation |
| تكوين الصمام الثنائي | 2 Independent | 2 Independent | 2 Independent | 2 Independent |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| حزمة / كيس | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Bulk |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود) | 75A | 55A | 60A | 60A |
| تصاعد نوع | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 900 mV @ 60 A | 2.5 V @ 60 A | 1.4 V @ 60 A | 1.8 V @ 60 A |
| سلسلة | - | - | - | - |
| رقم المنتج الأساسي | APT2X60 | APT2X61 | APT2X60 | APT2X60 |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 200 V | 1000 V | 300 V | 1200 V |
| تجار الأجهزة حزمة | SOT-227 (ISOTOP®) | ISOTOP® | ISOTOP® | SOT-227 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 1 mA @ 200 V | 250 µA @ 1000 V | 250 µA @ 300 V | 1.2 mA @ 1200 V |
| تكنولوجيا | Schottky | Standard | Standard | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 150°C | - | - | - |
قم بتنزيل أوراق بيانات APT2X60S20J PDF ووثائق Microchip Technology لـ APT2X60S20J - Microchip Technology.
APT2X61D100JMicrochip TechnologyDIODE MODULE 1KV 55A ISOTOPAPT2X60D30JMicrosemi CorporationDIODE MODULE 300V 60A ISOTOPAPT2X60DC120JMicrosemi CorporationDIODE MODULE 1.2KV 60A SOT227
APT2X61D10CJAPTIGBT ModuleAPT2X60D40JMicrochip TechnologyDIODE MODULE 400V 60A ISOTOPAPT2X61D30JMicrochip TechnologyDIODE MODULE 300V 60A ISOTOPAPT2X60DQ120JMicrochip TechnologyDIODE MODULE 1.2KV 60A ISOTOPAPT2X61D120JMicrochip TechnologyDIODE MODULE 1.2KV 53A ISOTOP
APT2X60S120JMicrosemiIGBT ModuleAPT2X61D40JMicrochip TechnologyDIODE MODULE 400V 60A ISOTOPAPT2X60DQ100JMicrochip TechnologyDIODE MODULE 1KV 60A ISOTOPAPT2X60D40IXFNIGBT ModuleAPT2X60D60JMicrochip TechnologyDIODE MODULE 600V 60A ISOTOPAPT2X60DQ60JMicrochip TechnologyDIODE MODULE 600V 60A ISOTOPAPT2X61D20JMicrochip TechnologyDIODE MODULE 200V 60A ISOTOPAPT2X60S60JMicrosemiIGBT ModuleAPT2X61-06CAPTIGBT ModuleAPT2X61D06JAPTIGBT Module| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.