مواصفات التكنولوجيا APTGT100TL60T3G
المواصفات الفنية Microchip Technology - APTGT100TL60T3G والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology - APTGT100TL60T3G
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Microchip Technology | |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس) | 600 V | |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم | 1.9V @ 15V, 100A | |
| تجار الأجهزة حزمة | SP3 | |
| سلسلة | - | |
| السلطة - ماكس | 340 W | |
| حزمة / كيس | SP3 | |
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| NTC الثرمستور | Yes | |
| تصاعد نوع | Chassis Mount | |
| إدخال السعة (تجمعهم) @ VCE | 6.1 nF @ 25 V | |
| إدخال | Standard | |
| نوع IGBT | Trench Field Stop | |
| الحالي - جامع القطع (ماكس) | 250 µA | |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس) | 150 A | |
| ترتيب | Three Level Inverter | |
| رقم المنتج الأساسي | APTGT100 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology APTGT100TL60T3G.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | APTGT100TL60T3G | APTGT150A170D1G | APTGT150DU120TG | APTGT150TDU60PG |
| الصانع | Microchip Technology | Microsemi Corporation | Microchip Technology | Microchip Technology |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 175°C (TJ) | - | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| سلسلة | - | - | - | - |
| NTC الثرمستور | Yes | No | Yes | No |
| إدخال | Standard | Standard | Standard | Standard |
| حزمة / كيس | SP3 | D1 | SP4 | SP6 |
| تجار الأجهزة حزمة | SP3 | D1 | SP4 | SP6-P |
| إدخال السعة (تجمعهم) @ VCE | 6.1 nF @ 25 V | 13 nF @ 25 V | 10.7 nF @ 25 V | 9.2 nF @ 25 V |
| نوع IGBT | Trench Field Stop | Trench Field Stop | Trench Field Stop | Trench Field Stop |
| طَرد | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس) | 150 A | 280 A | 220 A | 225 A |
| الحالي - جامع القطع (ماكس) | 250 µA | 4 mA | 250 µA | 250 µA |
| ترتيب | Three Level Inverter | Half Bridge | Dual, Common Source | Triple, Dual - Common Source |
| رقم المنتج الأساسي | APTGT100 | - | APTGT150 | APTGT150 |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم | 1.9V @ 15V, 100A | 2.4V @ 15V, 150A | 2.1V @ 15V, 150A | 1.9V @ 15V, 150A |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس) | 600 V | 1700 V | 1200 V | 600 V |
| السلطة - ماكس | 340 W | 780 W | 690 W | 480 W |
| تصاعد نوع | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
قم بتنزيل أوراق بيانات APTGT100TL60T3G PDF ووثائق Microchip Technology لـ APTGT100TL60T3G - Microchip Technology.
APTGS10X120RTP2GAPTIGBT ModuleAPTGT150A120D3GAPTIGBT ModuleAPTGS15X120RTP2GAPTIGBT ModuleAPTGT150A170D1GMicrosemi CorporationIGBT MODULE 1700V 280A 780W D1APTGT150X120TE3GAPTIGBT ModuleAPTGT150DU120TGMicrochip TechnologyIGBT MODULE 1200V 220A 690W SP4APTGS25X120BTP2GAPTIGBT ModuleAPTGS25X120RTP2GAPTIGBT ModuleAPTGT150TDU60PGMicrochip TechnologyIGBT MODULE 600V 225A 480W SP6PAPTGT100SK170D1GMicrosemi CorporationIGBT MODULE 1700V 200A 695W D1APTGT150X120E3GIGBT ModuleAPTGT100DA120D1GMicrosemi CorporationIGBT MODULE 1200V 150A 520W D1APTGT100A120D1GMicrosemi CorporationIGBT MODULE 1200V 150A 520W D1APTGT150SK120D1GMicrosemi CorporationIGBT MODULE 1200V 220A 700W D1APTGT100X120TE3GAPTIGBT ModuleAPTGS25X120BTP2APTIGBT ModuleAPTGLQ80HR120T3GMicrosemiAPTGT150DA120D3GAPTIGBT Module| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.