مواصفات التكنولوجيا JAN1N5419
المواصفات الفنية Microchip Technology - JAN1N5419 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology - JAN1N5419
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Microchip Technology | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.5 V @ 9 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 500 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | B, Axial | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | Military, MIL-PRF-19500/411 | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 250 ns |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | B, Axial | |
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 175°C | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 1 µA @ 500 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 3A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | |
| رقم المنتج الأساسي | 1N5419 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology JAN1N5419.
| سمة المنتج |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | JAN1N5419 | JAN1N5415 | JAN1N5711-1 | JAN1N5617 |
| الصانع | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C |
| تجار الأجهزة حزمة | B, Axial | B, Axial | DO-35 | A, Axial |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 1 µA @ 500 V | 1 µA @ 50 V | 200 nA @ 70 V | 500 nA @ 400 V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 3A | 3A | 33mA | 1A |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.5 V @ 9 A | 1.5 V @ 9 A | 1 V @ 15 mA | 1.6 V @ 3 A |
| سلسلة | Military, MIL-PRF-19500/411 | Military, MIL-PRF-19500/411 | Military, MIL-PRF-19500/444 | Military, MIL-PRF-19500/429 |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| طَرد | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| تكنولوجيا | Standard | Standard | Schottky | Standard |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 500 V | 50 V | 70 V | 400 V |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 250 ns | 150 ns | - | 150 ns |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | - | 2pF @ 0V, 1MHz | - |
| رقم المنتج الأساسي | 1N5419 | 1N5415 | 1N5711 | 1N5617 |
| حزمة / كيس | B, Axial | B, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | A, Axial |
قم بتنزيل أوراق بيانات JAN1N5419 PDF ووثائق Microchip Technology لـ JAN1N5419 - Microchip Technology.
JAN1N5415Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 3A AXIALJAN1N4553RBMicrochip TechnologyZENER DIODE
JAN1N5647AMicrochip TechnologyTVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO13JAN1N4554RBMicrochip TechnologyZENER DIODEJAN1N5711-1Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35JAN1N5617Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
JAN1N4556RBMSCIGBT ModuleJAN1N5639AMicrochip TechnologyTVS DIODE 15.3VWM 25.2VC DO13JAN1N5614Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 1A AXIALJAN1N4551RBMicrochip TechnologyZENER DIODEJAN1N4550RBMicrochip TechnologyZENER DIODE
JAN1N5711Microsemi
JAN1N4625UR-1Microchip TechnologyDIODE ZENER 5.1V 500MW DO213AAJAN1N4942Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 1A AXIALJAN1N4549RBMicrochip TechnologyZENER DIODEJAN1N5550Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 3A AXIALJAN1N5420Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 3A B AXIALJAN1N5806Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.