مواصفات التكنولوجيا JAN1N5711-1
المواصفات الفنية Microchip Technology - JAN1N5711-1 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology - JAN1N5711-1
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Microchip Technology | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1 V @ 15 mA | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 70 V | |
| تكنولوجيا | Schottky | |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-35 | |
| سرعة | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| سلسلة | Military, MIL-PRF-19500/444 | |
| حزمة / كيس | DO-204AH, DO-35, Axial |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 150°C | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 200 nA @ 70 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 33mA | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 2pF @ 0V, 1MHz | |
| رقم المنتج الأساسي | 1N5711 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology JAN1N5711-1.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | JAN1N5711-1 | JAN1N5614 | JAN1N5806 | JAN1N5816 |
| الصانع | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 2pF @ 0V, 1MHz | - | 25pF @ 10V, 1MHz | 300pF @ 10V, 1MHz |
| سرعة | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 200 nA @ 70 V | 500 nA @ 200 V | 1 µA @ 150 V | 10 µA @ 150 V |
| رقم المنتج الأساسي | 1N5711 | 1N5614 | 1N5806 | - |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-35 | A, Axial | A, Axial | DO-203AA (DO-4) |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 33mA | 1A | 2.5A | 20A |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1 V @ 15 mA | 1.3 V @ 3 A | 975 mV @ 2.5 A | 950 mV @ 20 A |
| طَرد | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| تكنولوجيا | Schottky | Standard | Standard | Standard |
| سلسلة | Military, MIL-PRF-19500/444 | Military, MIL-PRF-19500/427 | Military, MIL-PRF-19500/477 | MILITARY, MIL-PRF-19500/478 |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Chassis, Stud Mount |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| حزمة / كيس | DO-204AH, DO-35, Axial | A, Axial | A, Axial | DO-203AA, DO-4, Stud |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 70 V | 200 V | 150 V | 150 V |
قم بتنزيل أوراق بيانات JAN1N5711-1 PDF ووثائق Microchip Technology لـ JAN1N5711-1 - Microchip Technology.
JAN1N5614Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 1A AXIALJAN1N5806Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL
JAN1N5647AMicrochip TechnologyTVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO13JAN1N5816Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 20A DO203AAJAN1N5812Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 20A DO203AAJAN1N5617Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
JAN1N5415Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL
JAN1N5813MicrosemiIGBT ModuleJAN1N5550Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 3A AXIALJAN1N5814Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 20A DO203AAJAN1N5711MicrosemiJAN1N5419Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 500V 3A AXIALJAN1N5815MicrosemiIGBT ModuleJAN1N5814RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 20A DO203AAJAN1N5813RMicrosemiIGBT ModuleJAN1N5639AMicrochip TechnologyTVS DIODE 15.3VWM 25.2VC DO13JAN1N5815RMicrosemiIGBT ModuleJAN1N5420Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 3A B AXIAL| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.