مواصفات التكنولوجيا APT10M07JVR
المواصفات الفنية Microsemi Corporation - APT10M07JVR والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Microsemi Corporation - APT10M07JVR
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Microsemi | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 5mA | |
| فغس (ماكس) | ±30V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | ISOTOP® | |
| سلسلة | POWER MOS V® | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 700W (Tc) | |
| حزمة / كيس | SOT-227-4, miniBLOC | |
| طَرد | Bulk |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Chassis Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 21600 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 1050 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 100 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 225A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Microsemi Corporation APT10M07JVR.
| سمة المنتج |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | APT10M07JVR | APT10M11JVRU2 | APT10M11JVRU3 | APT10M11JVFR |
| الصانع | Microsemi Corporation | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | - |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 21600 pF @ 25 V | 8600 pF @ 25 V | 8600 pF @ 25 V | 10380 pF @ 25 V |
| طَرد | Bulk | Bulk | Bulk | Tube |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| حزمة / كيس | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC |
| تجار الأجهزة حزمة | ISOTOP® | SOT-227 | SOT-227 | ISOTOP® |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 5mA | 4V @ 2.5mA | 4V @ 2.5mA | 4V @ 2.5mA |
| سلسلة | POWER MOS V® | - | - | POWER MOS V® |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 1050 nC @ 10 V | 300 nC @ 10 V | 300 nC @ 10 V | 450 nC @ 10 V |
| فغس (ماكس) | ±30V | ±30V | ±30V | - |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 700W (Tc) | 450W (Tc) | 450W (Tc) | - |
| تصاعد نوع | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 225A (Tc) | 142A (Tc) | 142A (Tc) | 144A (Tc) |
قم بتنزيل أوراق بيانات APT10M07JVR PDF ووثائق Microsemi Corporation لـ APT10M07JVR - Microsemi Corporation.
APT10M11JVRU2Microchip TechnologyMOSFET N-CH 100V 142A SOT227APT100S20BGMicrochip TechnologyDIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247APT10M11JVRU3Microchip TechnologyMOSFET N-CH 100V 142A SOT227
APT100S20BMicrosemiAPT10M11JVFRMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 100V 144A ISOTOPAPT100S20LCTGMicrochip TechnologyDIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264APT10M15JNRMicrosemiIGBT Module
APT10M11LVRAPTAPT10M11JVRMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 100V 144A ISOTOPAPT10M07APTIGBT ModuleAPT10M19BVRVBSEMIAPT10M19SVRAPTIGBT ModuleAPT10M07JVFRMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 100V 225A ISOTOPAPT106N60B2C6Microchip TechnologyMOSFET N-CH 600V 106A T-MAXAPT10DC120HJMicrosemi CorporationBRIDGE RECT 1P 1.2KV 10A SOT227APT10M09JVRMicrosemiIGBT ModuleAPT106N60LC6Microchip TechnologyMOSFET N-CH 600V 106A TO264APT105-R95MOGAPT| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.