مواصفات التكنولوجيا APT10SCD65K
المواصفات الفنية Microsemi Corporation - APT10SCD65K والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Microsemi Corporation - APT10SCD65K
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Microsemi | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.8 V @ 10 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 650 V | |
| تكنولوجيا | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-2 | |
| سرعة | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 0 ns |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | TO-220-2 | |
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 150°C | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 200 µA @ 650 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 17A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 300pF @ 1V, 1MHz |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Microsemi Corporation APT10SCD65K.
| سمة المنتج |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | APT10SCD65K | APT10M30AVR | APT1147 | APT1201R6BVFRG |
| الصانع | Microsemi Corporation | APT | APT | Microchip Technology |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 300pF @ 1V, 1MHz | - | - | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 0 ns | - | - | - |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 650 V | - | - | - |
| حزمة / كيس | TO-220-2 | - | - | TO-247-3 |
| تكنولوجيا | SiC (Silicon Carbide) Schottky | - | - | MOSFET (Metal Oxide) |
| طَرد | Bulk | - | - | Tube |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 200 µA @ 650 V | - | - | - |
| سلسلة | - | - | - | POWER MOS V® |
| سرعة | No Recovery Time > 500mA (Io) | - | - | - |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.8 V @ 10 A | - | - | - |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 17A | - | - | - |
| تصاعد نوع | Through Hole | - | - | Through Hole |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-2 | - | - | TO-247 [B] |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 150°C | - | - | - |
قم بتنزيل أوراق بيانات APT10SCD65K PDF ووثائق Microsemi Corporation لـ APT10SCD65K - Microsemi Corporation.
APT10M30AVRAPTIGBT ModuleAPT1147APTIGBT ModuleAPT1201R6BVFRGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1200V 8A TO247
APT10M11JVRU2Microchip TechnologyMOSFET N-CH 100V 142A SOT227
APT1201R4SFLLGMicrosemiAPT1201R6BVRAPTIGBT ModuleAPT10M25SVRAPTIGBT ModuleAPT10M11LVRAPTAPT10M11JVRU3Microchip TechnologyMOSFET N-CH 100V 142A SOT227APT1201R6SVFRGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1200V 8A D3PAKAPT1201R5BVRAPTAPT110GL100JNAPTIGBT ModuleAPT10M15JNRMicrosemiIGBT ModuleAPT10M11JVRMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 100V 144A ISOTOPAPT10M19BVRVBSEMIAPT11GF120BRDQ1GMicrosemi CorporationIGBT 1200V 25A 156W TO247APT12031JFLLMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1200V 30A ISOTOPAPT10M19SVRAPTIGBT Module| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.