مواصفات التكنولوجيا APT8018JN
المواصفات الفنية Microsemi Corporation - APT8018JN والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Microsemi Corporation - APT8018JN
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Microsemi | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 5mA | |
| فغس (ماكس) | ±30V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | ISOTOP® | |
| سلسلة | POWER MOS IV® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 180mOhm @ 20A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 690W (Tc) | |
| حزمة / كيس | SOT-227-4, miniBLOC | |
| طَرد | Tray |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Chassis Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 14000 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 700 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 800 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Microsemi Corporation APT8018JN.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | APT8018JN | APT8020JFLL | APT8011JLL | APT8015JVFR |
| الصانع | Microsemi Corporation | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| تجار الأجهزة حزمة | ISOTOP® | ISOTOP® | ISOTOP® | ISOTOP® |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| حزمة / كيس | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | - | - | - |
| فغس (ماكس) | ±30V | - | - | - |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 40A (Tc) | 33A (Tc) | 51A (Tc) | 44A (Tc) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 800 V | 800 V | 800 V | 800 V |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 690W (Tc) | - | - | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 180mOhm @ 20A, 10V | 220mOhm @ 16.5A, 10V | 110mOhm @ 25.5A, 10V | 150mOhm @ 500mA, 10V |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - |
| تصاعد نوع | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 5mA | 5V @ 2.5mA | 5V @ 5mA | 4V @ 5mA |
| طَرد | Tray | Tube | Tube | Tube |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 700 nC @ 10 V | 195 nC @ 10 V | 650 nC @ 10 V | 285 nC @ 10 V |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 14000 pF @ 25 V | 5200 pF @ 25 V | 9480 pF @ 25 V | 17650 pF @ 25 V |
| سلسلة | POWER MOS IV® | POWER MOS 7® | POWER MOS 7® | POWER MOS V® |
قم بتنزيل أوراق بيانات APT8018JN PDF ووثائق Microsemi Corporation لـ APT8018JN - Microsemi Corporation.
APT8015JNMicrosemiIGBT ModuleAPT8020JFLLMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 800V 33A ISOTOP
APT801R2BNAPTAPT8011JLLMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 800V 51A ISOTOPAPT8011JLLXAPTIGBT ModuleAPT8015JVFRMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 800V 44A ISOTOPAPT8020APTIGBT ModuleAPT8018JVRMicrosemiIGBT ModuleAPT8020LLLAPTAPT8018JNFRXMicrosemiIGBT ModuleAPT8014L2FLLGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 800V 52A 264 MAXAPT8020LLLGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 800V 38A TO264APT8014JLLMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 800V 42A ISOTOPAPT8020JLLMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 800V 33A ISOTOPAPT8015JVRMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 800V 44A ISOTOPAPT8018JNFRAPTIGBT ModuleAPT8014JFLLAPTIGBT ModuleAPT8014L2FLLAPT| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.