مواصفات التكنولوجيا QH03TZ600
المواصفات الفنية Power Integrations - QH03TZ600 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Power Integrations - QH03TZ600
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Power Integrations | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 3 V @ 3 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 600 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220AC | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | Qspeed™ | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 9.8 ns |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | TO-220-2 | |
| طَرد | Tube | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | 150°C (Max) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 250 µA @ 600 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 3A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 11pF @ 10V, 1MHz |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Power Integrations QH03TZ600.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | QH03TZ600 | MDO500-22N1 | 1N3744 | SK36SMA |
| الصانع | Power Integrations | IXYS | Solid State Inc. | Diotec Semiconductor |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220AC | Y1-CU | DO-9 | DO-214AC, SMA |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 3 V @ 3 A | 1.3 V @ 1200 A | 1.3 V @ 300 A | 700 mV @ 3 A |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | 150°C (Max) | - | -65°C ~ 190°C | -50°C ~ 150°C |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 11pF @ 10V, 1MHz | 576pF @ 700V, 1MHz | - | - |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 600 V | 2200 V | 1400 V | 60 V |
| تكنولوجيا | Standard | Standard | Standard | Schottky |
| طَرد | Tube | Box | Box | Tape & Reel (TR) |
| سلسلة | Qspeed™ | - | - | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 9.8 ns | - | - | - |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 250 µA @ 600 V | 30 mA @ 2200 V | 75 µA @ 1400 V | 100 µA @ 60 V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 3A | 560A | 275A | 3A |
| حزمة / كيس | TO-220-2 | Y1-CU | DO-205AB, DO-9, Stud | DO-214AC, SMA |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| تصاعد نوع | Through Hole | Chassis Mount | Stud Mount | Surface Mount |
قم بتنزيل أوراق بيانات QH03TZ600 PDF ووثائق Power Integrations لـ QH03TZ600 - Power Integrations.
QH0P ESIntelMDO500-22N1IXYSDIODE GEN PURP 2.2KV 560A Y1-CU1N3744Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1.4KV 275A DO9SK36SMADiotec SemiconductorSCHOTTKY SMA 60V 3A
B2100AE-13Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 100V 2A SMA
MUR2510Solid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 25A DO4
GS1002FL_R1_00001Panjit International Inc.DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123FL
RBE2VAM20ATRRohm SemiconductorDIODE SCHOTTKY 20V 2A TUMD2M
SBRT3U60SAF-13Diodes IncorporatedDIODE SBR 60V 3A SMAF
V10P45HM3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277A
STTH8R06GSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK
FERD30SM100DJFTRSTMicroelectronicsDIODE FERD 100V 30A POWERFLAT
QH03BZ600Power IntegrationsDIODE GEN PURP 600V 3A TO263ABQH08BZ600Power IntegrationsDIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
QH08TZ600Power IntegrationsDIODE GEN PURP 600V 8A TO220ACQH05TZ600Power IntegrationsDIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC
ESH2PD-M3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 2A DO220AAQH05BZ600Power IntegrationsDIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.