مواصفات التكنولوجيا SID1183K
المواصفات الفنية Power Integrations - SID1183K والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Power Integrations - SID1183K
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Power Integrations | |
| الجهد - توريد | 4.75V ~ 5.25V | |
| تجار الأجهزة حزمة | eSOP-R16B | |
| سلسلة | SCALE™-1 | |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع) | 465ns, 460ns | |
| حزمة / كيس | 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads | |
| طَرد | Tube | |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 125°C (TJ) | |
| تردد الإدخال | 2 |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| المنطق الجهد - فيل، فيه | 0.5V, 3.3V | |
| نوع المدخلات | Inverting | |
| نوع البوابة | IGBT, N-Channel MOSFET | |
| تكوين مدفوعة | High-Side or Low-Side | |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة) | 8A, 48A | |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس) | Single | |
| رقم المنتج الأساسي | SID1183 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Power Integrations SID1183K.
| سمة المنتج |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | SID1183K | SID1183K-TL | SID1132K-TL | SIDR668DP-T1-GE3 |
| الصانع | Power Integrations | Power Integrations | Power Integrations | Vishay Siliconix |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع) | 465ns, 460ns | 465ns, 460ns | 450ns, 450ns (Max) | - |
| الجهد - توريد | 4.75V ~ 5.25V | 4.75V ~ 5.25V | - | - |
| سلسلة | SCALE™-1 | SCALE™-1 | SCALE-iDriver™ | TrenchFET® Gen IV |
| تجار الأجهزة حزمة | eSOP-R16B | eSOP-R16B | eSOP-R16B | PowerPAK® SO-8DC |
| نوع المدخلات | Inverting | Inverting | - | - |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس) | Single | Single | - | - |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 125°C (TJ) | -40°C ~ 125°C (TJ) | -40°C ~ 125°C | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| رقم المنتج الأساسي | SID1183 | SID1183 | SID1132 | SIDR668 |
| حزمة / كيس | 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads | 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads | 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads | PowerPAK® SO-8 |
| تردد الإدخال | 2 | 2 | - | - |
| تكوين مدفوعة | High-Side or Low-Side | High-Side or Low-Side | - | - |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة) | 8A, 48A | 8A, 48A | - | - |
| طَرد | Tube | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| نوع البوابة | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | - | - |
| المنطق الجهد - فيل، فيه | 0.5V, 3.3V | 0.5V, 3.3V | - | - |
قم بتنزيل أوراق بيانات SID1183K PDF ووثائق Power Integrations لـ SID1183K - Power Integrations.
SID1132K-TLPower IntegrationsDGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16BSIDR668DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
SID01-04FUJIIGBT ModuleSID5486XTRICSID1183K-TLPower IntegrationsIC GATE DRV HI/LO SIDE ESOP-R16BSID01-03FUJIIGBT Module
SID01-12Fujitsu Electronics America, Inc.IGBT ModuleSID01-08FUJIIGBT Module
SID2552X03-AOSamsung SemiconductorSID1152K-TLPower IntegrationsDGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B
SIDR680DP-T1-GE3VishaySIDR870ADP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8DC
SID13775B02B600EpsonSID01-09FUJIIGBT ModuleSIDR626DP-T1-GE3VishaySID05N10SECOSSID01-06FUJIIGBT ModuleSID20ED01-17SCILICONIGBT Module| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.