مواصفات التكنولوجيا SCT50N120
المواصفات الفنية STMicroelectronics - SCT50N120 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ STMicroelectronics - SCT50N120
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | STMicroelectronics | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 3V @ 1mA | |
| فغس (ماكس) | +25V, -10V | |
| تكنولوجيا | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | HiP247™ | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 69mOhm @ 40A, 20V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 318W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-247-3 | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 200°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1900 pF @ 400 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 122 nC @ 20 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 20V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 1200 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 65A (Tc) | |
| رقم المنتج الأساسي | SCT50 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ STMicroelectronics SCT50N120.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | SCT50N120 | SCT30N120D2 | SCT52A40DSAR | SCT35N65G2V |
| الصانع | STMicroelectronics | STMicroelectronics | SCT | STMicroelectronics |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 122 nC @ 20 V | 105 nC @ 20 V | - | - |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 65A (Tc) | 40A (Tc) | - | - |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 1200 V | 1200 V | - | - |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 200°C (TJ) | -55°C ~ 200°C (TJ) | - | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 20V | 20V | - | - |
| سلسلة | - | - | - | - |
| رقم المنتج الأساسي | SCT50 | SCT30 | - | - |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1900 pF @ 400 V | 1700 pF @ 400 V | - | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 69mOhm @ 40A, 20V | 100mOhm @ 20A, 20V | - | - |
| طَرد | Tube | Tray | - | - |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 3V @ 1mA | 3.5V @ 1mA | - | - |
| تجار الأجهزة حزمة | HiP247™ | HiP247™ | - | - |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | - | - |
| حزمة / كيس | TO-247-3 | TO-247-3 | - | - |
| تكنولوجيا | SiCFET (Silicon Carbide) | SiCFET (Silicon Carbide) | - | - |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | - | - |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 318W (Tc) | 270W (Tc) | - | - |
| فغس (ماكس) | +25V, -10V | +25V, -10V | - | - |
قم بتنزيل أوراق بيانات SCT50N120 PDF ووثائق STMicroelectronics لـ SCT50N120 - STMicroelectronics.
SCT52A40DSARSCTSCT35N65G2VSTMicroelectronicsSCT500DSEMITEL
SCT3120ALGC11 MOSLAPIS TechnologySCT30N120HSTMicroelectronicsSCT51240TWBRSCT
SCT6037A9NUMonolithic Power SystemsSCT52240MTERSCTSCT6027Monolithic Power SystemsSCT3160KLGC11 MOSLAPIS TechnologySCT500BSEMITELSCT5076SCTSCT5020CSSGSCTSCT30N120D2STMicroelectronicsSICFET N-CH 1200V 40A HIP247SCT527SCLSCT52240STDRSCTSCT6061B1SCTSCT52A40STDRSCT| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.