مواصفات التكنولوجيا STF80N10F7
المواصفات الفنية STMicroelectronics - STF80N10F7 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ STMicroelectronics - STF80N10F7
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | STMicroelectronics | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4.5V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220FP | |
| سلسلة | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 10mOhm @ 40A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 30W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-220-3 Full Pack | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 3100 pF @ 50 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 45 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 100 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 40A (Tc) | |
| رقم المنتج الأساسي | STF80N |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ STMicroelectronics STF80N10F7.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | STF80N10F7 | STF7NM60N | STF7NM80 | STF7NM50N |
| الصانع | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 45 nC @ 10 V | 14 nC @ 10 V | 18 nC @ 10 V | 12 nC @ 10 V |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 3100 pF @ 50 V | 363 pF @ 50 V | 620 pF @ 25 V | 400 pF @ 50 V |
| رقم المنتج الأساسي | STF80N | STF7 | STF7 | STF7N |
| سلسلة | DeepGATE™, STripFET™ VII | MDmesh™ II | MDmesh™ | MDmesh™ II |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220FP | TO-220FP | TO-220FP | TO-220FP |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4.5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 100 V | 600 V | 800 V | 500 V |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 30W (Tc) | 20W (Tc) | 25W (Tc) | 20W (Tc) |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| حزمة / كيس | TO-220-3 Full Pack | TO-220-5 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Tube |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 10mOhm @ 40A, 10V | 900mOhm @ 2.5A, 10V | 1.05Ohm @ 3.25A, 10V | 780mOhm @ 2.5A, 10V |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| فغس (ماكس) | ±20V | ±25V | ±30V | ±25V |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 40A (Tc) | 5A (Tc) | 6.5A (Tc) | 5A (Tc) |
قم بتنزيل أوراق بيانات STF80N10F7 PDF ووثائق STMicroelectronics لـ STF80N10F7 - STMicroelectronics.
STF7NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 5A TO220FP
STF7NM80 F7NM80STMicroelectronicsSTF7NM80STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 6.5A TO220FPSTF7NK80ZFPSTMicroelectronicsSTF817STMicroelectronics
STF8810SAMHOPSTF8045DVIGBT ModuleSTF8A60SemiWell
STF817ASTMicroelectronicsTRANS PNP 80V 1.5A SOT89-3STF8233SAMHOPSTF826STMicroelectronicsTRANS PNP 30V 3A SOT89-3STF8211SAMHOPSTF80450VSTMicroelectronicsIGBT ModuleSTF8234SAMHOPSTF8204SAMHOPSTF7NM80 MOSSTMicroelectronicsSTF7NM60N MOSSTMicroelectronicsSTF7NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 5A TO220FP| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.