مواصفات التكنولوجيا STI4N62K3
المواصفات الفنية STMicroelectronics - STI4N62K3 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ STMicroelectronics - STI4N62K3
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | STMicroelectronics | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4.5V @ 50µA | |
| فغس (ماكس) | ±30V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | I2PAK | |
| سلسلة | SuperMESH3™ | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 2Ohm @ 1.9A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 70W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 550 pF @ 50 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 22 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 620 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 3.8A (Tc) | |
| رقم المنتج الأساسي | STI4N62 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ STMicroelectronics STI4N62K3.
| سمة المنتج |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | STI4N62K3 | STI47N60DM6AG | STI45N10F7 | STI4600 |
| الصانع | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 550 pF @ 50 V | 2350 pF @ 100 V | 1640 pF @ 50 V | - |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 620 V | 600 V | 100 V | - |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | - |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 3.8A (Tc) | 36A (Tc) | 45A (Tc) | - |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | - |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4.5V @ 50µA | 4.75V @ 250µA | 4.5V @ 250µA | - |
| حزمة / كيس | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | - |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 22 nC @ 10 V | 55 nC @ 10 V | 25 nC @ 10 V | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 2Ohm @ 1.9A, 10V | 80mOhm @ 18A, 10V | 18mOhm @ 22.5A, 10V | - |
| فغس (ماكس) | ±30V | ±25V | ±20V | - |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - |
| سلسلة | SuperMESH3™ | Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM6 | DeepGATE™, STripFET™ VII | - |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 70W (Tc) | 250W (Tc) | 60W (Tc) | - |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | - |
| رقم المنتج الأساسي | STI4N62 | STI47 | STI45N | - |
| تجار الأجهزة حزمة | I2PAK | I2PAK (TO-262) | I2PAK (TO-262) | - |
قم بتنزيل أوراق بيانات STI4N62K3 PDF ووثائق STMicroelectronics لـ STI4N62K3 - STMicroelectronics.
STI4600STMicroelectronics
STI5100RUCSTI5100RUCSTI4600BCVAA2STMicroelectronicsSTI47N60DM6AGSTMicroelectronicsPOWER TRANSISTORSSTI5100BUCSTMicroelectronicsSTI4200S28SIGMATELSTI45N10F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 45A I2PAKSTI5100HUCSTMicroelectronicsSTI5100QUCSTMicroelectronicsSTI5100TUCSTMicroelectronicsSTI5100LUCTSTMicroelectronicsSTI4500ACVBBESTMicroelectronicsSTI5100GUCSTMicroelectronicsSTI5100KUCTSTMicroelectronicsSTI5100WUCSTMicroelectronicsSTI4600BCVSTMicroelectronicsSTI4600BCUSTMicroelectronicsSTI446-100/06NA| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.