مواصفات التكنولوجيا STP16N60M2
المواصفات الفنية STMicroelectronics - STP16N60M2 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ STMicroelectronics - STP16N60M2
سمة المنتج | قيمة السمة | |
---|---|---|
الصانع | STMicroelectronics | |
VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | |
فغس (ماكس) | ±25V | |
تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
تجار الأجهزة حزمة | TO-220 | |
سلسلة | MDmesh™ M2 | |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 320mOhm @ 6A, 10V | |
تبديد الطاقة (ماكس) | 110W (Tc) | |
حزمة / كيس | TO-220-3 | |
طَرد | Tube |
سمة المنتج | قيمة السمة | |
---|---|---|
درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) | |
تصاعد نوع | Through Hole | |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 700 pF @ 100 V | |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 19 nC @ 10 V | |
نوع FET | N-Channel | |
FET الميزة | - | |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 600 V | |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 12A (Tc) | |
رقم المنتج الأساسي | STP16 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ STMicroelectronics STP16N60M2.
سمة المنتج | ||||
---|---|---|---|---|
رقم القطعة | STP16N60M2 | STP16N65M5 | STP16N65M2 | STP16N50M2 |
الصانع | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 12A (Tc) | 12A (Tc) | 11A (Tc) | 13A (Tc) |
VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 19 nC @ 10 V | 45 nC @ 10 V | 19.5 nC @ 10 V | 19.5 nC @ 10 V |
حزمة / كيس | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
فغس (ماكس) | ±25V | ±25V | ±25V | ±25V |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 700 pF @ 100 V | 1250 pF @ 100 V | 718 pF @ 100 V | 710 pF @ 100 V |
رقم المنتج الأساسي | STP16 | STP16 | STP16 | STP16N |
FET الميزة | - | - | - | - |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 10V |
طَرد | Tube | Tube | Tube | Tube |
تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
سلسلة | MDmesh™ M2 | MDmesh™ V | MDmesh™ M2 | MDmesh™ M2 |
تبديد الطاقة (ماكس) | 110W (Tc) | 90W (Tc) | 110W (Tc) | 110W (Tc) |
تجار الأجهزة حزمة | TO-220 | TO-220 | TO-220 | TO-220 |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 600 V | 650 V | 650 V | 500 V |
درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 320mOhm @ 6A, 10V | 299mOhm @ 6A, 10V | 360mOhm @ 5.5A, 10V | 280mOhm @ 6.5A, 10V |
قم بتنزيل أوراق بيانات STP16N60M2 PDF ووثائق STMicroelectronics لـ STP16N60M2 - STMicroelectronics.
البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
---|---|---|
منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
البرازيل | 7 | |
أوروبا | ألمانيا | 5 |
المملكة المتحدة | 4 | |
إيطاليا | 5 | |
أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
نيوزيلندا | 5 | |
آسيا | الهند | 4 |
اليابان | 4 | |
الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
مرجع شحن DHL & FedEx | |
---|---|
رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.