مواصفات التكنولوجيا STP30N10F7
المواصفات الفنية STMicroelectronics - STP30N10F7 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ STMicroelectronics - STP30N10F7
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | STMicroelectronics | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4.5V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220AB | |
| سلسلة | STripFET™ | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 24mOhm @ 16A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 50W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1270 pF @ 50 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 19 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 100 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 32A (Tc) | |
| رقم المنتج الأساسي | STP30 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ STMicroelectronics STP30N10F7.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | STP30N10F7 | STP30NF20 | STP30N65M5 | STP30NF10 |
| الصانع | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220AB | TO-220 | TO-220 | TO-220 |
| فغس (ماكس) | ±20V | ±20V | ±25V | ±20V |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1270 pF @ 50 V | 1597 pF @ 25 V | 2880 pF @ 100 V | 1180 pF @ 25 V |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| سلسلة | STripFET™ | STripFET™ | MDmesh™ V | STripFET™ II |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Tube |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4.5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 50W (Tc) | 125W (Tc) | 140W (Tc) | 115W (Tc) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 24mOhm @ 16A, 10V | 75mOhm @ 15A, 10V | 139mOhm @ 11A, 10V | 45mOhm @ 15A, 10V |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 32A (Tc) | 30A (Tc) | 22A (Tc) | 35A (Tc) |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| رقم المنتج الأساسي | STP30 | STP30 | STP30 | STP30 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 100 V | 200 V | 650 V | 100 V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 19 nC @ 10 V | 38 nC @ 10 V | 64 nC @ 10 V | 55 nC @ 10 V |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
قم بتنزيل أوراق بيانات STP30N10F7 PDF ووثائق STMicroelectronics لـ STP30N10F7 - STMicroelectronics.
STP3020L MOSSTMicroelectronicsSTP30NF20 MOSSTMicroelectronicsSTP30N06 MOSSTMicroelectronicsSTP30NF10 MOSSTMicroelectronicsSTP30NE06LSTMicroelectronics
STP30NE06ST-MARSTP30N06STMicroelectronicsSTP3020LSTMicroelectronicsSTP3018BLFRAKONSTP30NF20STMicroelectronicsMOSFET N-CH 200V 30A TO220ABSTP30N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 22A TO220ABSTP3051LFRAKONSTP30N65M5 30N65M5STMicroelectronicsSTP30NF10FPVBSEMISTP3017ELFRAKONSTP3052DSTANSONTECHSTP30NF10STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 35A TO220ABSTP3020STMicroelectronics| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.