مواصفات التكنولوجيا STP33N60DM2
المواصفات الفنية STMicroelectronics - STP33N60DM2 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ STMicroelectronics - STP33N60DM2
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | STMicroelectronics | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±25V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220 | |
| سلسلة | MDmesh™ DM2 | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 130mOhm @ 12A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 190W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1870 pF @ 100 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 43 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 600 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 24A (Tc) | |
| رقم المنتج الأساسي | STP33 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ STMicroelectronics STP33N60DM2.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | STP33N60DM2 | STP310N10F7 | STP32NM50N | STP33N65M2 |
| الصانع | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 600 V | 100 V | 500 V | 650 V |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 43 nC @ 10 V | 180 nC @ 10 V | 62.5 nC @ 10 V | 41.5 nC @ 10 V |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| رقم المنتج الأساسي | STP33 | STP310 | STP32 | STP33 |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220 | TO-220 | TO-220 | TO-220 |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Tube |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1870 pF @ 100 V | 12800 pF @ 25 V | 1973 pF @ 50 V | 1790 pF @ 100 V |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 24A (Tc) | 180A (Tc) | 22A (Tc) | 24A (Tc) |
| فغس (ماكس) | ±25V | ±20V | ±25V | ±25V |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 130mOhm @ 12A, 10V | 2.7mOhm @ 60A, 10V | 130mOhm @ 11A, 10V | 140mOhm @ 12A, 10V |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 250µA | 3.8V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 190W (Tc) | 315W (Tc) | 190W (Tc) | 190W (Tc) |
| سلسلة | MDmesh™ DM2 | DeepGATE™, STripFET™ VII | MDmesh™ II | MDmesh™ M2 |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
قم بتنزيل أوراق بيانات STP33N60DM2 PDF ووثائق STMicroelectronics لـ STP33N60DM2 - STMicroelectronics.
STP310N10F7STMicroelectronicsMOSFET N CH 100V 180A TO-220STP32NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N CH 500V 22A TO-220
STP32N06LSTMicroelectronics
STP3401SEMTRONSTP3300LF(10.0000MHZ)RAKONSTP33N65M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 24A TO220STP3403SEMTRON-MICROSTP315N10F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 180A TO220STP3401AS-TRGSEMTRONSTP32N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 24A TO220ABSTP33N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 26A TO220STP3401SSTPSTP33N10VBSEMISTP33N60DM6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 25A TO220STP31N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 22A TO220STP32H100USTMicroelectronicsSTP3401ASEMTRON-MICROSTP3401S-TRGSEMTRON| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.