مواصفات التكنولوجيا STS3P6F6
المواصفات الفنية STMicroelectronics - STS3P6F6 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ STMicroelectronics - STS3P6F6
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | STMicroelectronics | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SOIC | |
| سلسلة | DeepGATE™, STripFET™ VI | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 160mOhm @ 1.5A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 2.7W (Tc) | |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 340 pF @ 48 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 6.4 nC @ 10 V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 60 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 3A (Tj) | |
| رقم المنتج الأساسي | STS3P |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ STMicroelectronics STS3P6F6.
| سمة المنتج |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | STS3P6F6 | STS3DNE60L | STS3DPFS30D | STS40-AD1B |
| الصانع | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | Sensirion |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 160mOhm @ 1.5A, 10V | 80mOhm @ 1.5A, 10V | - | - |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | - | - |
| نوع FET | P-Channel | - | - | - |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | - | - |
| FET الميزة | - | Logic Level Gate | - | - |
| فغس (ماكس) | ±20V | - | - | - |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 2.7W (Tc) | - | - | - |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 3A (Tj) | 3A | - | - |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | - | - |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 60 V | 60V | - | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 6.4 nC @ 10 V | 13.5nC @ 4.5V | - | - |
| سلسلة | DeepGATE™, STripFET™ VI | STripFET™ | - | - |
| رقم المنتج الأساسي | STS3P | STS3D | - | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | - | - | - |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 340 pF @ 48 V | 815pF @ 25V | - | - |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | 1V @ 250µA | - | - |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SOIC | 8-SOIC | - | - |
قم بتنزيل أوراق بيانات STS3P6F6 PDF ووثائق STMicroelectronics لـ STS3P6F6 - STMicroelectronics.
STS3DNE60LSTMicroelectronicsMOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOICSTS3DPFS30DSTMicroelectronicsSTS40-AD1BSensirionSTS3DPFS30STMicroelectronicsSTS40L45CWSTMicroelectronics
STS3DPF20V.SRSTS3DPFS45SRSTS40L45CTSTMicroelectronics
STS4001NT1GAMI Semiconductor/onsemiSTS3P6F6 MOSSTMicroelectronicsSTS3DPF20VVBSEMISTS3C3F30LVBSEMISTS4501SAMHOPSTS3DPF30LSTMicroelectronics
STS462TCypress Semiconductor (Infineon Technologies)STS4622SAMHOPSTS4075QCypress Semiconductor (Infineon Technologies)STS3DPF60LSTMicroelectronicsMOSFET 2P-CH 60V 3A 8-SOIC| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.