مواصفات التكنولوجيا STTH806DTI
المواصفات الفنية STMicroelectronics - STTH806DTI والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ STMicroelectronics - STTH806DTI
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | STMicroelectronics | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 3.6 V @ 8 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 600 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220AC ins | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 30 ns |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | TO-220-2 Insulated, TO-220AC | |
| طَرد | Tube | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | 175°C (Max) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 10 µA @ 600 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 8A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | |
| رقم المنتج الأساسي | STTH806 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ STMicroelectronics STTH806DTI.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | STTH806DTI | STTH80S06W | STTH810G | STTH806G-TR |
| الصانع | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | 175°C (Max) | -40°C ~ 175°C | 175°C (Max) | 175°C (Max) |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| سلسلة | - | - | - | - |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 10 µA @ 600 V | 50 µA @ 600 V | 5 µA @ 1000 V | 8 µA @ 600 V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 8A | 80A | 8A | 8A |
| تكنولوجيا | Standard | Standard | Standard | Standard |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220AC ins | DO-247 | D2PAK | D2PAK |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 30 ns | 75 ns | 85 ns | 55 ns |
| رقم المنتج الأساسي | STTH806 | STTH80 | STTH810 | STTH806 |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 600 V | 600 V | 1000 V | 600 V |
| حزمة / كيس | TO-220-2 Insulated, TO-220AC | DO-247-2 (Straight Leads) | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | - | - | - |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 3.6 V @ 8 A | 2.2 V @ 20 A | 2 V @ 8 A | 1.85 V @ 8 A |
قم بتنزيل أوراق بيانات STTH806DTI PDF ووثائق STMicroelectronics لـ STTH806DTI - STMicroelectronics.
STTH80S06WSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 600V 80A DO247
STTH806DISTMicroelectronicsSTTH810GSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAKSTTH806
STTH806TTISTMicroelectronicsDIODE ARRAY GP 600V 8A TO220ABSTTH806G-TRSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 600V 8A D2PAKSTTH803GSTMicroelectronicsSTTH806TTIF5STMicroelectronicsSTTH806DTSTMicroelectronicsSTTH810DISTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 1KV 8A TO220InsSTTH810G-TRSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAKSTTH806DSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 600V 8A TO220ACSTTH802SFYSTMicroelectronicsSTTH810DSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 1KV 8A TO220ACSTTH803DSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 300V 8A TO220ACSTTH803G-TRSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 300V 8A D2PAKSTTH806DIRGSTMicroelectronicsDIODE GP 600V 8A TO220AC INSSTTH810FPSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 1KV 8A TO220FPAC| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.