مواصفات التكنولوجيا STTH810G-TR
المواصفات الفنية STMicroelectronics - STTH810G-TR والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ STMicroelectronics - STTH810G-TR
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | STMicroelectronics | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 2 V @ 8 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 1000 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | D2PAK | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 85 ns |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | 175°C (Max) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 5 µA @ 1000 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 8A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | |
| رقم المنتج الأساسي | STTH810 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ STMicroelectronics STTH810G-TR.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | STTH810G-TR | STTH812DI | STTH8L06D | STTH812G-TR |
| الصانع | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 1000 V | 1200 V | 600 V | 1200 V |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 85 ns | 100 ns | 105 ns | 100 ns |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| تجار الأجهزة حزمة | D2PAK | TO-220AC ins | TO-220AC | D2PAK |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 2 V @ 8 A | 2.2 V @ 8 A | 1.3 V @ 8 A | 2.2 V @ 8 A |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 8A | 8A | 8A | 8A |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) |
| رقم المنتج الأساسي | STTH810 | STTH812 | STTH8 | STTH812 |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | - | - | - |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 5 µA @ 1000 V | 8 µA @ 1200 V | 8 µA @ 600 V | 8 µA @ 1200 V |
| تكنولوجيا | Standard | Standard | Standard | Standard |
| حزمة / كيس | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-2 Insulated, TO-220AC | TO-220-2 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| سلسلة | - | - | - | - |
قم بتنزيل أوراق بيانات STTH810G-TR PDF ووثائق STMicroelectronics لـ STTH810G-TR - STMicroelectronics.
STTH812DISTMicroelectronicsDIODE GP 1.2KV 8A TO220AC INSSTTH8L06DSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 600V 8A TO220ACSTTH806TTIF5STMicroelectronicsSTTH8L02DDJFY-TRSTMicroelectronicsDIODE ARRAY GP 200V 4A PWRFLATSTTH812G-TRSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAKSTTH812FPSTMicroelectronicsDIODE GP 1.2KV 8A TO220FPACSTTH812GSTMicroelectronicsSTTH8L06DISTMicroelectronicsSTTH810FPSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 1KV 8A TO220FPACSTTH810DSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 1KV 8A TO220ACSTTH806DTISTMicroelectronicsDIODE GP 600V 8A TO220AC INS
STTH80S06WSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 600V 80A DO247STTH806G-TRSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 600V 8A D2PAKSTTH810GSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAK
STTH806TTISTMicroelectronicsDIODE ARRAY GP 600V 8A TO220ABSTTH812DSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220ACSTTH8L06STMicroelectronicsSTTH810DISTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 1KV 8A TO220Ins| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.