مواصفات التكنولوجيا MBRF10100
المواصفات الفنية SMC Diode Solutions - MBRF10100 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ SMC Diode Solutions - MBRF10100
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Sangdest Microelectronics / Nanjing (SMC Diode Solutions) | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 850 mV @ 10 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 100 V | |
| تكنولوجيا | Schottky | |
| تجار الأجهزة حزمة | ITO-220AC | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| حزمة / كيس | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| طَرد | Tube | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 150°C | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 1 mA @ 100 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | - | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | |
| رقم المنتج الأساسي | MBRF1010 |
| يصف | وصف |
|---|---|
| حالة RoHs | |
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | 1 (Unlimited) |
| الوصول إلى الحالة | REACH Affected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ SMC Diode Solutions MBRF10100.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | MBRF10100 | MBRD835LT4G | MBRD835LG | MBRD835LT4 |
| الصانع | SMC Diode Solutions | onsemi | onsemi | onsemi |
| تجار الأجهزة حزمة | ITO-220AC | DPAK | DPAK | DPAK |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | - | 8A | 8A | 8A |
| طَرد | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | - |
| تصاعد نوع | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 1 mA @ 100 V | 1.4 mA @ 35 V | 1.4 mA @ 35 V | 1.4 mA @ 35 V |
| تكنولوجيا | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| حزمة / كيس | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 100 V | 35 V | 35 V | 35 V |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | - | - | - |
| رقم المنتج الأساسي | MBRF1010 | MBRD835 | MBRD835 | MBRD835 |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 850 mV @ 10 A | 510 mV @ 8 A | 510 mV @ 8 A | 510 mV @ 8 A |
| سلسلة | - | SWITCHMODE™ | SWITCHMODE™ | - |
قم بتنزيل أوراق بيانات MBRF10100 PDF ووثائق SMC Diode Solutions لـ MBRF10100 - SMC Diode Solutions.
MBRF10100CTLLittelfuse Inc.DIODE SCHOTTKY 100V 5A ITO220ABMBRD835LT4GonsemiDIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAKMBRD835LGonsemiDIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAKMBRF10100CT-U/PKECMBRD835LT4onsemiDIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK
MBRF10100Taiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 100V 10A ITO220AC
MBRF10100CT-JTDiodes IncorporatedDIODE ARRAY 100V 5A ITO220ABMBRF10100CT-GSSG
MBRF10100CTSMC Diode SolutionsDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V ITO220MBRF10100CTL-GSMCMBRF10100CTTaiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 100V 10A ITO220AB
MBRD835L-T4AMI Semiconductor/onsemi
MBRD835LGFairchild SemiconductorDIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAKMBRD835LT4G.AMI Semiconductor/onsemiMBRF10100CTGAMI Semiconductor/onsemiMBRF10100CMOSPECMBRD835LTAMI Semiconductor/onsemiMBRD835LT4 MOSAMI Semiconductor/onsemi| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ يرجى إضافة إلى CART ، وسوف نتصل بك على الفور.