مواصفات التكنولوجيا 1N3296RA
المواصفات الفنية Solid State Inc. - 1N3296RA والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Solid State Inc. - 1N3296RA
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Solid State Inc. | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.2 V @ 200 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 1200 V | |
| تكنولوجيا | Standard, Reverse Polarity | |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-8 | |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | DO-205AA, DO-8, Stud | |
| طَرد | Box | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 200°C | |
| تصاعد نوع | Stud Mount | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 50 µA @ 1200 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 100A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - |
| يصف | وصف |
|---|---|
| حالة RoHs | |
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | 1 (Unlimited) |
| الوصول إلى الحالة | Vendor Undefined |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Solid State Inc. 1N3296RA.
| سمة المنتج |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | 1N3296RA | 1N3296AR | 1N3296A | 1N3296A |
| الصانع | Solid State Inc. | GeneSiC Semiconductor | Solid State Inc. | Microchip Technology |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-8 | DO-205AA (DO-8) | DO-8 | DO-205AA (DO-8) |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 1200 V | 1200 V | 1200 V | 1200 V |
| سلسلة | - | - | - | - |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.2 V @ 200 A | 1.5 V @ 100 A | 1.2 V @ 200 A | 1.1 V @ 200 A |
| تصاعد نوع | Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| حزمة / كيس | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | - | - | - |
| تكنولوجيا | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard |
| طَرد | Box | Bulk | Box | Bulk |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 50 µA @ 1200 V | 9 mA @ 1200 V | 50 µA @ 1200 V | 200 µA @ 1200 V |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 200°C | -40°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 100A | 100A | 100A | 150A |
1N3296ARGeneSiC SemiconductorDIODE GP REV 1.2KV 100A DO205AA1N3296ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DO8
1N3298ARGeneral Semiconductor (Vishay)IGBT Module1N3296AMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3297Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1.4KV 100A DO8
1N3296ARPowerex Inc.DIODE GP REV 1.2KV 100A DO205AA1N3296ARMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER
1N3296RBMicrosemiIGBT Module1N3297ARGeneSiC SemiconductorDIODE GP REV 1.4KV 100A DO205AA1N3296RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3298AMicrosemiIGBT Module1N3296RSolid State Inc.DIODE GP REV 1.2KV 100A DO81N3296APowerex Inc.DIODE GP 1.2KV 100A DO205AA1N3297ARPowerex Inc.DIODE GP REV 1.4KV 100A DO205AA1N3297Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3297ARMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3296AGeneSiC SemiconductorDIODE GP 1.2KV 100A DO205AA1N3298MicrosemiIGBT Module| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ يرجى إضافة إلى CART ، وسوف نتصل بك على الفور.